[发明专利]半导体设备封装和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体设备封装，其包括：

衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

第一天线辐射方向图，其安置于所述衬底的所述第一表面上方，所述第一天线辐射方向图具有第一带宽，所述第一天线辐射方向图具有被配置成产生磁场的第一端口；和

第二天线辐射方向图，其安置于所述衬底的所述第一表面上方，所述第二天线辐射方向图具有不同于所述第一带宽的第二带宽，

其中平行于由所述第一天线辐射方向图的所述第一端口产生的所述磁场的所述第一天线辐射方向图的边缘的延长线与所述第二天线辐射方向图间隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述第一天线辐射方向图与所述第二天线辐射方向图交替布置。

3.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中

所述衬底的所述第一表面具有一边缘；

所述第一天线辐射方向图的所述边缘的所述延长线与所述衬底的所述第一表面的所述边缘的所述延长线界定一角度；和

所述角度大于0°并且小于90°。

4.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中

所述第二天线辐射方向图具有被配置成产生磁场的第一端口；和

平行于由所述第二天线辐射方向图的所述第一端口产生的所述磁场的所述第二天线辐射方向图的边缘的延长线大体上平行于所述第一天线辐射方向图的所述边缘的所述延长线。

5.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其另外包括安置于所述衬底的所述第一表面上并且电连接到所述第一天线辐射方向图和所述第二天线辐射方向图的导电层。

6.根据权利要求5所述的半导体设备封装，其中所述导电层是接地层或射频RF层。

7.根据权利要求5所述的半导体设备封装，其另外包括安置于所述导电层上的第一介电层和所述介电层内的导电通孔，其中所述导电通路使所述第一天线辐射方向图或所述第二天线辐射方向图与所述导电层电连接。

8.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其另外包括：

第二介电层，其安置于所述第一天线辐射方向图和所述第二天线辐射方向图上；

第三天线辐射方向图，其安置于所述第二介电层上；和

第四天线辐射方向图，其安置于所述第二介电层上，

其中所述第三天线辐射方向图具有所述第一带宽，且所述第四天线辐射方向图具有所述第二带宽。

9.根据权利要求8所述的半导体设备封装，其中

所述第三天线辐射方向图在垂直于所述衬底的所述第一表面的方向上与所述第一天线辐射方向图大体上对齐；且

所述第四天线辐射方向图在垂直于所述衬底的所述第一表面的方向上与所述第二天线辐射方向图大体上对齐。

10.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述第一天线辐射方向图和所述第二天线辐射方向图中的每一个包含天线元件的M×N阵列，其中M或N是大于1的整数。

11.根据权利要求10所述的半导体设备封装，其中所述第一天线辐射方向图和所述第二天线辐射方向图的每一天线元件塑形为矩形、菱形或十字形。

12.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其另外包括安置于所述衬底的所述第二表面上并且电连接到所述第一天线辐射方向图和/或所述第二天线辐射方向图的电子组件。

13.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述第一天线辐射方向图和所述第二天线辐射方向图布置于同一平面上。