[发明专利]半导体设备封装和其制造方法在审

申请号：	201910962958.1	申请日：	2019-10-11
公开（公告）号：	CN112397461A	公开（公告）日：	2021-02-23
发明（设计）人：	徐绍恩;卓晖雄;吕世文	申请（专利权）人：	日月光半导体制造股份有限公司
主分类号：	H01L23/31	分类号：	H01L23/31;H01L23/485;H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q21/06;H01Q21/08;H01Q21/29
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287	代理人：	蕭輔寬
地址：	中国台湾高雄市楠梓***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体设备封装制造方法
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【说明书】：

本发明提供一种半导体设备封装，其包含衬底、第一天线和第二天线。所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。第一天线辐射方向图安置于所述衬底的所述第一表面上方。所述第一天线辐射方向图具有第一带宽。所述第一天线辐射方向图具有被配置成产生磁场的第一端口。第二天线辐射方向图安置于所述衬底的所述第一表面上方。所述第二天线辐射方向图具有不同于所述第一带宽的第二带宽。平行于由所述第一天线辐射方向图的所述第一端口产生的所述磁场的所述第一天线辐射方向图的边缘的延长线与所述第二天线辐射方向图间隔开。

技术领域

本公开涉及一种半导体设备封装和其制造方法，且涉及一种包含天线的半导体设备封装和其制造方法。

背景技术

例如手机等无线通信设备通常包含用于发射和接收射频(RF)信号的天线。近年来，随着移动通信的发展和对高数据速率和稳定通信质量的迫切需求，相对高频无线发射(例如，28GHz或60GHz)已变成移动通信行业中的一个最重要的课题。然而，信号衰减和干扰是相对高频率(或相对短波长)无线发射的问题之一。

发明内容

根据本公开的一些实施例，一种半导体设备封装包含衬底、第一天线和第二天线。所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。第一天线辐射方向图安置于所述衬底的所述第一表面上方。所述第一天线辐射方向图具有第一带宽。所述第一天线辐射方向图具有被配置成产生磁场的第一端口。第二天线辐射方向图安置于所述衬底的所述第一表面上方。所述第二天线辐射方向图具有不同于所述第一带宽的第二带宽。平行于由所述第一天线辐射方向图的所述第一端口产生的所述磁场的所述第一天线辐射方向图的边缘的延长线与所述第二天线辐射方向图间隔开。

根据本公开的一些实施例，一种半导体设备封装包含衬底、第一天线和第二天线。所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。第一天线辐射方向图安置于所述衬底的所述第一表面上方。所述第一天线辐射方向图具有被配置成产生磁场的第一端口。第二天线辐射方向图安置于所述衬底的所述第一表面上方。所述第一天线辐射方向图和所述第二天线辐射方向图布置于同一平面上。所述第一天线辐射方向图的邻近于所述第一端口的侧表面的突出部与所述第二天线辐射方向图间隔开。

附图说明

图1A说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。

图1B说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。

图2A说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。

图2B说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。

图2C说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。

图3说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。

图4说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。

图5说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。

在整个图式和详细描述使用共同参考标号来指示相同或相似组件。根据以下结合附图作出的详细描述将容易理解本公开。

具体实施方式

图1A说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装1的横截面图。图1B说明根据本公开的一些实施例的图1A中说明的半导体设备封装1的俯视图(为了清楚起见，在图1B中省略图1A中的一些组件)。半导体设备封装1包含衬底10、导电层11、介电层12和天线辐射方向图13和14。