[发明专利]用于半导体研磨和封装的膜材料

说明书

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及用于半导体研磨和封装的膜材料。用于半导体研磨和封装的膜材料，由上至下依次包括基材膜和胶层；所述基材膜包括依次贴接共挤的第一电晕层、光亮层、抗静电层、芯层、抗氧化层、哑光层、第二电晕层。所述膜材料具有极佳的耐热性、耐老化性、抗静电性、扩张性、耐湿热稳定性和良好的散热能力，同时该膜材料制备原料环保安全，制备工艺简单，可以满足半导体封装工艺和运输中对半导体保护的需求。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，更具体地，本发明涉及用于半导体研磨和封装的膜材料。

背景技术

半导体组装技术即利用膜技术及微细连接技术将半导体芯片和框架或基板或塑料薄片或印刷线路板中的导体部分连接以便引出接线引脚，并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺技术。

随着半导体相关技术的发展，一方面芯片的功能越来越强大，引脚数量越来越多；另一方面为适应移动终端等设备小型化的需要，芯片的尺寸越来越小，使得芯片引脚间距便越来越小，这样对所需的封装膜材料的要求也越来越高。现有的封装膜存在热膨胀系数低，在高温、潮气水分子气化膨胀后导致包封材料发生开裂，速固成形性差、散热能力差，不能及时有效的排除电路和芯片产生的热量的问题，从而降低了半导体芯片的产率。另外现市面上的膜在安全性和环保性方面存在着问题，影响着其在半导体封装工艺中的应用。

发明内容

为了解决上述问题，本发明第一个方面提供了用于半导体研磨和封装的膜材料，由上至下依次包括基材膜和胶层；所述基材膜包括依次贴接共挤的第一电晕层、光亮层、抗静电层、芯层、抗氧化层、哑光层、第二电晕层。

作为一种优选的技术方案，所述用于半导体研磨和封装的膜材料还包括硅油层；所述硅油层与基材膜上表面连接。

作为一种优选的技术方案，所述用于半导体研磨和封装的膜材料还包括PET层；所述PET层与胶层的下表面连接。

作为一种优选的技术方案，所述第一电晕层和第二电晕层的制备原料包括聚丙烯。

作为一种优选的技术方案，所述光亮层和哑光层的制备原料包括乙烯-丙烯酸乙酯共聚物。

作为一种优选的技术方案，所述抗静电层的制备原料包括：改性聚乙烯60-70份、弹性体18-25份、抗静电剂5-10份、交联剂2-6份。

作为一种优选的技术方案，所述抗氧化层制备原料包括：改性聚乙烯60-70份、弹性体18-25份、抗氧剂4-8份、交联剂2-6份。

作为一种优选的技术方案，所述芯层制备原料包括：改性聚乙烯60-70份、弹性体18-25份、色母1-3份、十八碳醇-3-[3,5-二叔丁基-4-(2-羟基-丙氧基)-苯基]丙酸酯2-4份。

作为一种最优选的技术方案，所述改性聚乙烯的制备原料包括：线性低密度聚乙烯、硅烷偶联剂、植酸、氧化镁、硅灰石。

作为一种优选的技术方案，所述弹性体为乙烯基弹性体和/或丙烯基弹性体。

作为一种优选的技术方案，所述抗静电剂的制备原料包括芥酸酰胺和聚氧化乙烯-丙烯酸共聚物。

作为一种优选的技术方案，所述抗氧剂为四[β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸]季戊四醇酯。

作为一种优选的技术方案，所述交联剂为三乙烯四胺和/或甲基含氢硅油。

本发明第二个方面提供了如上所述用于半导体研磨和封装的膜材料的制备方法，所述制备方法可分为直涂法和转涂法。

本发明第三个方面提供了所述用于半导体研磨和封装的膜材料在半导体制备工艺和运输上的应用。