[发明专利]一种研磨头的保护罩

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种研磨头的保护罩，用于防止研磨头上的杂质掉落，研磨头包括一圆盘形的主体，主体上设有一连接件，保护罩自上而下套设于主体上；保护罩包括：一第一保护罩，覆盖于主体的顶面并至少部分覆盖于主体的周向，第一保护罩覆盖于主体的顶面部分形成一承漏面，用于承接杂质；一第二保护罩，为形成于承漏面的周向的一环形凸起，环形凸起具有一第一预设高度，用于防止承漏面上的杂质洒出。本发明技术方案的有益效果在于：提供一种研磨头的保护罩，可以防止研磨头重组、研磨头自身磨损、机台磨损等原因产生的杂质掉落在研磨垫上，减少晶圆的刮伤，从而提高晶圆的良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种研磨头的保护罩。

背景技术

化学机械研磨工艺((Chemical Mechanical Polishing，简称CMP)制程是利用机械化学研磨的方式进行晶圆的平坦化。在CMP的工艺过程中，防止晶圆被刮伤是控制晶圆质量的重要因素。

造成晶圆刮伤的因素很多，研磨垫、研磨盘、研磨液、研磨头、机台自身的摩擦产生的杂质等，现在研磨垫、研磨盘、研磨液的生产厂商已经对自身产品的质量进行了管控，而对于研磨头本身及机台自身产生的杂质，目前还没有比较好的解决方案。若研磨头上的杂质掉落研磨垫上，则在研磨的过程中会导致晶圆刮伤。因此，本发明提出一种研磨头的保护罩，用于防止杂质累积在研磨头上，并且还能减少因研磨头上的杂质掉落在研磨垫上导致的晶圆刮伤，从而提高晶圆的良率。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种研磨头的保护罩。

具体技术方案如下：

本发明包括一种研磨头的保护罩，用于防止所述研磨头上的杂质掉落，所述研磨头包括一圆盘形的主体，所述主体上设有一连接件，所述保护罩自上而下套设于所述主体上；所述保护罩包括：

一第一保护罩，覆盖于所述主体的顶面并至少部分覆盖于所述主体的周向，所述第一保护罩覆盖于所述主体的顶面部分形成一承漏面，用于承接所述杂质；

一第二保护罩，为形成于所述承漏面的周向的一环形凸起，所述环形凸起具有一第一预设高度，用于防止所述承漏面上的杂质洒出。

优选的，所述环形凸起的一第二预设高度处布设有过滤孔，以使所述环形凸起的内侧和外侧相通，且所述第二预设高度小于所述第一预设高度。

优选的，所述环形凸起的外侧设置有一二次过滤装置，用于对杂质进行二次过滤。

优选的，所述二次过滤装置包括：

一环形滤网，套设于所述环形凸起的外侧，并与所述过滤孔的位置对应，用于过滤所述杂质。

优选的，所述环形凸起的外侧环设有一凹槽，所述过滤孔位于所述凹槽的槽底，所述环形滤网嵌设于所述凹槽内。

优选的，所述凹槽的开口处具有一对相对设置的凸缘，以使所述环形滤网卡嵌于所述凹槽内。

优选的，所述第二保护罩顶部向朝向所述连接件的方向翻折，并形成一预设弧度的弧形凹槽。

优选的，所述第一预设高度不低于所述连接件的高度。

优选的，所述第一保护罩和所述第二保护罩采用弹性材料。

优选的，所述弹性材料为橡胶。

优选的，所述第一保护罩和所述第二保护罩一体成型。

本发明技术方案的有益效果在于：提供一种研磨头的保护罩，可以防止研磨头重组、研磨头自身磨损、机台磨损等原因产生的杂质掉落在研磨垫上，减少晶圆的刮伤，从而提高晶圆的良率。

附图说明