[发明专利]蚀刻剂和用于使用该蚀刻剂制造显示装置的方法

权利要求书

1.一种蚀刻剂，其中，所述蚀刻剂包括：

8wt％至12wt％的硝酸；

3wt％至8wt％的烷基磺酸；

7wt％至12wt％的硫酸盐；

40wt％至55wt％的有机酸；

0.5wt％至5wt％的有机酸盐；以及

余量的水。

2.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述硫酸盐相对于所述有机酸盐的重量比为4至6。

3.根据权利要求2所述的蚀刻剂，其中，所述烷基磺酸包括甲磺酸、乙磺酸和丙磺酸中的至少一种，

其中，所述有机酸包括乙酸、柠檬酸、乙醇酸、丙二酸、乳酸和酒石酸中的至少一种，

其中，所述有机酸盐包括乙酸盐、柠檬酸盐、乙醇酸盐、丙二酸盐、乳酸盐和酒石酸盐中的至少一种，以及

其中，所述硫酸盐包括硫酸氢钾、硫酸氢钠和硫酸镁中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的蚀刻剂，其中，所述烷基磺酸为甲磺酸。

5.根据权利要求4所述的蚀刻剂，其中，所述有机酸包括乙酸和柠檬酸。

6.根据权利要求5所述的蚀刻剂，其中，所述有机酸盐包括乙酸盐和柠檬酸盐。

7.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

在基底上形成晶体管和焊盘；

在所述晶体管上形成平坦化层；

在所述平坦化层和所述焊盘上形成第一电极材料层；

使用蚀刻剂蚀刻所述第一电极材料层以形成连接到所述晶体管的第一电极；

在所述第一电极上形成具有与所述第一电极叠置的开口的像素限定层；

在所述开口中在所述第一电极上形成发光构件；以及

在所述发光构件上形成第二电极，

其中，所述蚀刻剂包括：

8wt％至12wt％的硝酸，

3wt％至8wt％的烷基磺酸，

7wt％至12wt％的硫酸盐，

40wt％至55wt％的有机酸，

0.5wt％至5wt％的有机酸盐，以及

余量的水。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，

所述第一电极材料层包括：

下电极材料层，包括透明导电材料；

中间电极材料层，位于所述下电极材料层上，所述中间电极材料层包括银或银合金材料；以及

上电极材料层，位于所述中间电极材料层上，所述上电极材料层包括所述透明导电材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在形成所述第一电极时，

所述蚀刻剂批量蚀刻所述下电极材料层、所述中间电极材料层和所述上电极材料层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述硫酸盐相对于所述有机酸盐的重量比为4至6。