[发明专利]用于促进布置在保持膜片上的部件脱离的顶脱器装置和方法在审
申请号: | 201910965139.2 | 申请日: | 2019-10-11 |
公开(公告)号: | CN111063653A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 阿诺·斯坦恩;斯蒂芬妮·周特尔 | 申请(专利权)人: | 先进装配系统有限责任两合公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/683 |
代理公司: | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人: | 艾晶 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 促进 布置 保持 膜片 部件 脱离 顶脱器 装置 方法 | ||
1.一种用于促进布置在保持膜片(30)上的部件(40)脱离的顶脱器装置(1),包括具有膜片接触面(20)的顶脱器头(10),所述膜片接触面(20)用于抵贴接触所述保持膜片(30)背离部件的表面(31),其中,所述顶脱器头(10)在所述膜片接触面(20)中进一步具有:至少一个顶脱口(21),其中可平移地支承有至少一个顶脱针(13),用于使所述部件(40)从所述保持膜片(30)脱离;以及真空段(11)的至少一个真空口(22),用于在所述保持膜片(30)与所述膜片接触面(20)之间产生负压,其特征在于,
所述顶脱器头(10)在所述膜片接触面(20)中具有压缩空气段(12)的至少一个压缩空气口(23),用于将空气(50)引入所述保持膜片(30)与所述膜片接触面(20)之间。
2.根据权利要求1所述的顶脱器装置(1),其特征在于,
所述至少一个压缩空气口(23)在所述膜片接触面(20)中布置在所述顶脱口(21)与所述至少一个真空口(22)之间。
3.根据权利要求1或2所述的顶脱器装置(1),其特征在于,
所述至少一个真空口(22)在所述膜片接触面(20)中布置在所述顶脱口(21)与所述至少一个压缩空气口(23)之间。
4.根据前述权利要求中任一项所述的顶脱器装置(1),其特征在于,
所述至少一个压缩空气口(23)和/或所述至少一个真空口(22)在所述膜片接触面(20)中呈环形围绕所述顶脱口(21)布置。
5.根据前述权利要求中任一项所述的顶脱器装置(1),其特征在于,
所述膜片接触面(20)具有连接槽(24),用于使所述至少一个压缩空气口(23)和/或所述至少一个真空口(22)和/或所述顶脱口(21)以流体连通方式连接。
6.一种用于通过顶脱器装置(1)促进布置在保持膜片(30)上的部件(40)脱离的方法,所述顶脱器装置(1)包括具有膜片接触面(20)的顶脱器头(10),其中,所述膜片接触面(20)抵贴接触所述保持膜片(30)背离部件的表面(31),其中,所述顶脱器头(10)在所述膜片接触面(20)中进一步具有:顶脱口(21),其中可平移地支承有至少一个顶脱针(13),用于使所述部件(40)从所述保持膜片(30)脱离;以及真空段(11)的至少一个真空口(22),其中,所述真空段(11)通过所述真空口(22)在所述保持膜片(30)与所述膜片接触面(20)之间产生负压,以将所述保持膜片(30)固定在所述顶脱器头(10)的膜片接触面(20)上,其特征在于以下步骤:
a)将空气(50)引入所述保持膜片(30)与所述膜片接触面(20)之间;
b)使所述顶脱器头(10)相对于所述保持膜片(30)移位到布置在所述保持膜片(30)上的部件(40)位置;
c)通过使所述顶脱针(13)平移穿过所述保持膜片(30),促进所述部件(40)脱离。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,
所述方法通过使用根据权利要求1至5中任一项所述的顶脱器装置(1)来执行。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,
在步骤b)中也进行将空气(50)引入所述保持膜片(30)与所述膜片接触面(20)之间,其中优选地,在步骤b)之后终止引入空气(50)。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法,其特征在于,
在步骤a)之前,特别是在步骤a)期间,优选也在步骤b)期间,中断由所述真空段(11)产生负压,并在完成步骤b)之后恢复。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的方法,其特征在于,
在步骤a)中,引入所述保持膜片(30)与所述膜片接触面(20)之间的空气(50)少于由所述真空段(11)通过所述至少一个真空口(22)引离的空气。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造