[发明专利]阵列基板和显示面板有效
申请号: | 201910966882.X | 申请日: | 2019-10-12 |
公开(公告)号: | CN110797347B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 杨跃骅;张启沛;李彦阳 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L23/544;G02F1/1368;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 汪阮磊 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板上具有标记组、屏幕标识和银胶点,所述标记组与所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第一预定值,所述银胶点包括金属图案层和透明导电图案层,所述金属图案层与所述标记组、所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第二预定值,所述透明导电图案层覆盖所述金属图案层和至少一部分标记组;
所述阵列基板包括衬底层和依次形成于所述衬底层上的薄膜晶体管层、平坦化层、第一氧化铟锡层、钝化层和第二氧化铟锡层;
所述薄膜晶体管层包括依次层叠设置的半导体层、第一绝缘层、介电层和源漏极层;
所述衬底层包括依次层叠设置的衬底、遮光层和缓冲层;
所述源漏极层包括第一分层、第二分层和第三分层,所述源漏极层上具有围绕所述第二分层的外侧设置的通槽;
所述钝化层上具有暴露所述第一分层的第一过孔,所述第二氧化铟锡层通过所述第一过孔与所述第一分层电连接;
所述钝化层上具有至少两个暴露所述第二分层且间隔设置的第二过孔,所述第二过孔位于所述第二分层的上方且围绕所述第二分层的边缘设置。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述标记组包括后段制程标记、对组标记、整体偏移标记和关键尺寸测试键,所述透明导电图案层覆盖所述后段制程标记、对组标记、整体偏移标记和关键尺寸测试键中的至少一个。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述透明导电图案层与所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第三预定值,或覆盖所述屏幕标识的至少一部分。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述透明导电图案层的形状为倒梯形。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述金属图案层由所述钝化层、所述第二分层、所述通槽和所述第二过孔组成;
所述透明导电图案层为所述第二氧化铟锡层。
6.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述关键尺寸测试键由所述半导体层、所述第一分层、所述第一氧化铟锡层和所述第一过孔组成;
所述后段制程标记由所述第一分层组成;
所述对组标记由所述遮光层组成;
所述整体偏移标记由所述第三分层组成;
所述屏幕标识由所述半导体层或所述遮光层组成。
7.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的