[发明专利]阵列基板和显示面板

说明书

本申请实施例公开了一种阵列基板和显示面板，其中，该阵列基板上具有标记组、屏幕标识和银胶点，所述标记组与所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第一预定值，所述银胶点包括金属图案层和透明导电图案层，所述金属图案层与所述标识组、所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第二预定值，所述透明导电图案层覆盖所述金属图案层和至少一部分标记组。本方案可以节省阵列基板的空间，进而有效节省手机屏幕下边框的空间。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor liquid crystal display，TFT-LCD)是目前广泛应用的手机屏幕。其主要由阵列基板、彩膜基板、液晶、偏光片、背光等部分组成。其中，银胶是导通彩膜基板背面导电层和阵列基板接地走线的材料，用来导走彩膜基板侧的电荷，在阵列基板侧用来与银胶接触的图案称为银胶点。

随着全面屏技术的发展，人们对手机屏幕尺寸的占比率需求越来越高，因此手机屏幕的下边框的尺寸也越来越小，并且加入了倒角。然而由于阵列基板侧的银胶点需要与彩膜基板侧的银胶保持足够的接触面积，因此银胶点需要保持较大的占用面积，占用手机屏幕的下边框空间较大。

发明内容

本申请实施例提供了一种阵列基板和显示面板，可以节省阵列基板的空间，进而有效节省手机屏幕下边框的空间。

第一方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板上具有标记组、屏幕标识和银胶点，所述标记组与所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第一预定值，所述银胶点包括金属图案层和透明导电图案层，所述金属图案层与所述标识组、所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第二预定值，所述透明导电图案层覆盖所述金属图案层和至少一部分标记组。

在本申请实施例提供的阵列基板中，所述标记组包括后段制程标记、对组标记、整体偏移标记和关键尺寸测试键，所述透明导电图案层覆盖所述后段制程标记、对组标记、整体偏移标记和关键尺寸测试键中的至少一个。

在本申请实施例提供的阵列基板中，所述透明导电图案层与所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第三预定值，或覆盖所述屏幕标识的至少一部分。

在本申请实施例提供的阵列基板中，所述透明导电图案层的形状为倒梯形。

在本申请实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板包括衬底层和依次形成于所述衬底层上的薄膜晶体管层、平坦化层、第一氧化铟锡层、钝化层和第二氧化铟锡层。

在本申请实施例提供的阵列基板中，所述薄膜晶体管层包括依次层叠设置的半导体层、第一绝缘层、介电层和源漏极层；

所述衬底层包括依次层叠设置的衬底、遮光层和缓冲层。

在本申请实施例提供的阵列基板中，所述源漏极层包括第一分层、第二分层和第三分层，所述源漏极层上具有围绕所述第二分层的外侧设置的通槽；

所述钝化层上具有暴露所述第一分层的第一过孔，所述第二氧化铟锡层通过所述第二过孔与所述第一分层电连接；

所述钝化层上具有至少两个暴露所述第二分层且间隔设置的第二过孔，所述第二过孔围绕所述第二分层的内侧设置。

在本申请实施例提供的阵列基板中，所述金属图案层由所述钝化层、所述第二分层、所述通槽和所述第二过孔组成；

所述透明导电图案层为所述第二氧化铟锡层。

在本申请实施例提供的阵列基板中，所述关键尺寸测试键由所述半导体层、所述第一分层、所述第一氧化铟锡层和所述第一过孔组成；

所述后段制程标记由所述第一分层组成；

所述对组标记由所述遮光层组成；