[发明专利]一种非金属阴、阳离子共掺杂的钙钛矿型混合导体膜及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 201910968405.7 申请日: 2019-10-12
公开(公告)号: CN110694489B 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 王海辉;李家祺;薛健;庄丽彬 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: B01D71/02 分类号: B01D71/02;B01D67/00;B01D53/22
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍;隆翔鹰
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 非金属 阳离子 掺杂 钙钛矿型 混合 导体 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种非金属阴、阳离子共掺杂的钙钛矿型混合导体膜,其特征在于,所述混合导体膜的材料的化学通式为AB1-bB'bO2.95-δX0.05,A为碱土金属中的锶;B为过渡金属中的钴;B'为非金属阳离子P或B;X为卤族阴离子;δ为非化学计量数,0.2≤δ≤0.7,b=0.05;

所述的非金属阴、阳离子共掺杂的钙钛矿型混合导体膜的制备方法包括以下步骤:

(1)称取含A、B、(P/B)n+和卤族阴离子的无机盐,溶于去离子水中,混合后搅拌均匀,得到金属盐混合液;

(2)向步骤(1)所得金属盐混合液中加入柠檬酸铵-羟基乙酸;

(3)将步骤(2)所得的混合液搅拌后真空干燥,得到凝胶;

(4)将步骤(3)所得的凝胶加热后得到前驱体粉体;

(5)将步骤(4)所得到的前驱粉体进行放电等离子烧结,得到成相粉体;

(6)将步骤(5)所得的成相粉体压制成膜片生胚;

(7)将步骤(6)所得膜片生胚进行放电等离子烧结,打磨清洗后即可得到所述非金属阴、阳离子共掺杂的钙钛矿型混合导体膜。

2.权利要求1所述的非金属阴、阳离子共掺杂的钙钛矿型混合导体膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)称取含A、B、(P/B)n+和卤族阴离子的无机盐,溶于去离子水中,混合后搅拌均匀,得到金属盐混合液;

(2)向步骤(1)所得金属盐混合液中加入柠檬酸铵-羟基乙酸;

(3)将步骤(2)所得的混合液搅拌后真空干燥,搅拌温度为40~60℃,时间为10~20h,真空干燥的温度为150~200℃,时间为18~20h,得到凝胶;

(4)将步骤(3)所得的凝胶加热后得到前驱体粉体,加热的温度为300~500℃,加热时间为1~2h,升降温速率为40~60℃/min;

(5)将步骤(4)所得到的前驱粉体进行放电等离子烧结,得到成相粉体,放电等离子烧结的温度为800~1000℃,烧结5~10min,升降温速率为100~120℃/min;

(6)将步骤(5)所得的成相粉体压制成膜片生胚;

(7)将步骤(6)所得膜片生胚进行放电等离子烧结,放电等离子烧结的温度为1100~1200℃,烧结3~6min,煅烧时升降温速率为100~120℃/min;打磨清洗后即可得到所述非金属阴、阳离子共掺杂的钙钛矿型混合导体膜。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,金属盐混合液的总金属离子与柠檬酸铵-羟基乙酸的摩尔比例为1:1~2。

4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(6)中,压制的时间为30~50min,压力为10~15KN。

5.权利要求1所述的非金属阴、阳离子共掺杂的钙钛矿型混合导体膜在含氧混合气中的分离应用。

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