[发明专利]声波谐振器

权利要求书

1.一种声波谐振器，包括：

基板；

谐振部，设置在所述基板上，并且包括第一电极、压电层和第二电极；

保护层，设置在所述谐振部的上部上；以及

疏水层，形成在所述保护层上，

其中，所述保护层包括堆叠在所述第二电极上的第一保护层和堆叠在所述第一保护层上的第二保护层，并且

其中，所述第二保护层的密度高于所述第一保护层的密度。

2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，腔形成在所述谐振部的下部，并且

所述疏水层还形成在所述腔的内壁上。

3.根据权利要求2所述的声波谐振器，其中，所述第二保护层还设置在所述腔的所述内壁和所述疏水层之间。

4.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述第一保护层利用氧化硅基绝缘材料和氮化硅基绝缘材料中的一种形成。

5.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述第二保护层利用氧化铝基绝缘材料、氮化铝基绝缘材料、氧化镁基绝缘材料、氧化钛基绝缘材料、氧化锆基绝缘材料和氧化锌基绝缘材料中的一种形成。

6.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述第一保护层利用二氧化硅、氮化硅、非晶硅和多晶硅中的一种形成。

7.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述第二保护层利用氧化铝、氮化铝、氧化镁、氧化钛、氧化锆、氧化锌中的一种形成。

8.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述第二保护层形成为具有比所述第一保护层的厚度小的厚度。

9.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述疏水层利用自组装单层形成材料形成。

10.根据权利要求9所述的声波谐振器，其中，所述疏水层具有或更小的厚度。

11.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述疏水层包含氟成分。

12.根据权利要求11所述的声波谐振器，其中，所述疏水层包含具有硅头的碳氟化合物。

13.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述谐振部包括：中央部；延伸部，从所述中央部向外延伸；以及插入层，设置在所述压电层的下部，并且

所述压电层包括设置在所述中央部中的压电部和设置在所述延伸部中的弯曲部，并且所述弯曲部被构造为从所述压电部延伸以沿着所述插入层的形状倾斜。

14.根据权利要求1所述的声波谐振器，所述声波谐振器还包括：

膜层，设置在所述基板上，并被构造为支撑所述谐振部；以及

腔，设置在所述膜层和所述基板之间，

其中，所述膜层包括第一膜层和设置在所述第一膜层和所述第一电极之间的第二膜层，并且

所述第一膜层利用密度高于所述第二膜层的密度的材料形成。

15.根据权利要求14所述的声波谐振器，其中，所述第二膜层利用氧化硅基绝缘材料和氮化硅基绝缘材料中的一种形成。

16.根据权利要求14所述的声波谐振器，其中，所述第一膜层利用氧化铝基绝缘材料、氮化铝基绝缘材料、氧化镁基绝缘材料、氧化钛基绝缘材料、氧化锆基绝缘材料和氧化锌基绝缘材料中的一种形成。