[发明专利]声波谐振器

说明书

本公开提供了一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：基板；谐振部，设置在所述基板上，并且包括第一电极、压电层和第二电极；保护层，设置在所述谐振部的上部上；以及疏水层，形成在所述保护层上，并且所述保护层包括堆叠在所述第二电极上的第一保护层和堆叠在所述第一保护层上的第二保护层，其中，所述第二保护层的密度高于所述第一保护层的密度。

本申请要求于2018年11月29日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0150682号韩国专利申请和于2019年3月14日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0029211号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有的目的通过引用包含于此。

技术领域

本公开涉及一种声波谐振器。

背景技术

随着与移动通信装置、化学和生物电子装置以及类似装置相关的技术迅速发展，对用这种装置实现的紧凑且轻质的滤波器、振荡器、谐振元件和声波谐振质量传感器的需求也增加。

薄膜体声波谐振器(FBAR)可实现这种紧凑且轻质的滤波器、振荡器、谐振元件和声波谐振质量传感器。

FBAR可以有利的是，可以能够以最低成本进行批量生产，并且FBAR可以以明显更小的尺寸实现。此外，可实现高质量因数(Q)值(滤波器的主要特性)并且甚至可在微波频带中使用谐振器。详细地，可在个人通信系统(PCS)频带和数字无绳系统(DCS)频带中实现谐振器。

通常，FBAR可形成为具有包括谐振部的结构，在谐振部中，第一电极、压电主体和第二电极顺序地堆叠在基板上。

FBAR的操作原理如下。首先，当电能施加到第一电极和第二电极以在压电层中感应出电场时，该电场在压电层中引起压电现象，使得谐振部沿预定方向振动。结果，在与振动方向相同的方向上产生体声波，从而引起谐振。

发明内容

提供本发明内容以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并在下面的具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总的方面中，一种声波谐振器包括：基板；谐振部，设置在所述基板上，并且包括第一电极、压电层和第二电极；保护层，设置在所述谐振部的上部上；疏水层，形成在所述保护层上，其中，所述保护层包括堆叠在所述第二电极上的第一保护层和堆叠在所述第一保护层上的第二保护层，并且其中，所述第二保护层的密度高于所述第一保护层的密度。

腔可形成在所述谐振部的下部中，并且所述疏水层可进一步形成在所述腔的内壁上。

所述第二保护层可进一步设置在所述腔的所述内壁和所述疏水层之间。

所述第一保护层可利用氧化硅基绝缘材料和氮化硅基绝缘材料中的一种形成。

所述第二保护层可利用氧化铝基绝缘材料、氮化铝基绝缘材料、氧化镁基绝缘材料、氧化钛基绝缘材料、氧化锆基绝缘材料和氧化锌基绝缘材料中的一种形成。

所述第一保护层可利用二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)、非晶硅(a-Si)和多晶硅(p-Si)中的一种形成。

所述第二保护层可利用氧化铝(Al₂O₃)、氮化铝(AlN)、氧化镁(MgO)、氧化钛(TiO₂)、氧化锆(ZrO₂)、氧化锌(ZnO)中的一种形成。

所述第二保护层可形成为具有比所述第一保护层的厚度小的厚度。

所述疏水层可利用自组装单层(SAM)形成材料形成。

所述疏水层可具有或更小的厚度。