[发明专利]一种薄膜晶体管基板及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，包括依次设置的基板层、遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、源漏极层、钝化层和像素电极层，其特征在于，所述遮光层采用纳米核壳结构构成，所述纳米核壳结构包括纳米核和壳；所述纳米核为窄禁带半导体材料，所述纳米核采用的材料包括砷化铟、磷化铟中的一种。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述壳为绝缘介质材料。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述纳米核带隙小于2.5eV，所述纳米核的直径范围为5-1000nm。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述壳采用的材料包括氧化硅、氧化铝中的一种。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述壳的厚度范围为3-200nm。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述缓冲层完全覆盖所述遮光层。

7.一种制备根据权利要求1-6任一项所述薄膜晶体管基板的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：提供一基板，在所述基板上制备纳米核壳遮光层；

步骤S2：将所述基板和纳米核壳遮光层放置在真空条件下进行退火；

步骤S3：在所述纳米核壳遮光层上制备缓冲层；

步骤S4：在所述缓冲层上依次制备有源层、栅极绝缘层和栅极层，并且对所述有源层图案非沟道区域进行导体化；

步骤S5：制备层间介质层，在所述层间介质层上设置第一过孔；

步骤S6：制备源漏极层，刻蚀后形成源漏极层图案；

步骤S7：制备钝化层，在所述钝化层上设置第二过孔；

步骤S8：制备像素电极层，通过刻蚀形成像素电极。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述真空条件的气压范围为10^-4-10³Pa。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述退火温度范围为100-500℃。