[发明专利]一种薄膜晶体管基板及其制备方法

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管基板及其制备方法，薄膜晶体管基板包括依次设置的基板层、遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、源漏极层、钝化层和像素电极层，所述遮光层采用纳米核壳结构构成，所述纳米核壳结构包括纳米核和壳。本发明提供一种薄膜晶体管基板及其制备方法，采用核壳结构的纳米点作为遮光层，由于纳米核壳遮光层导电性差，不会与漏极产生电容耦合效应，可以省去为了将源极层和金属遮光层连接引入的两道黄光制程，从而减少了光罩的数量，降低了成本；另一方面，纳米核壳遮光层可以吸收短波光并将短波光转变为长波光，短波漏光不会在栅电极与遮光层之间来回反射，减少了漏光在有源层中多次反射造成的阈值电压负偏。

技术领域

本发明涉及显示面板技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管基板及其制备方法。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED)技术是面板行业的发展趋势，相比LCD而言，OLED具有结构简化，色域更广，响应时间更快等优点。在AMOLED的像素设计中，一般采用顶栅自对准型非晶氧化物TFT构成的像素电路来驱动OLED发光，但由于非晶氧化物对短波光非常敏感，器件的阈值电压会在光照的作用下减小，从而严重影响OLED的发光强度，因此制作背板时会先沉积金属遮光层保护TFT器件不受底部环境光影响。

图1所示为现有技术中薄膜晶体管基板的结构示意图，薄膜晶体管基板包括依次设置的基板层100、金属遮光层11、缓冲层12、有源层13、栅极绝缘层14、栅极层15、层间介质层16、漏极171、源极172、钝化层18和像素电极层19，由于金属遮光层11不吸收短波光，所以短波漏光会在栅极层15和金属遮光层11之间来回反射，造成的阈值电压负偏。

另外，为避免金属遮光层11与漏极171交叠电容的耦合效应，会在缓冲层12上开孔，将源极172和金属遮光层11连接，这会额外引入两道黄光制程，增加OLED背板的制作成本。

因此，确有必要来开发一种新型的薄膜晶体管基板，以克服现有技术的缺陷。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种薄膜晶体管基板，其能够解决现有技术中金属遮光层与漏端交叠电容的耦合效应的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管基板，包括依次设置的基板层、遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、源漏极层、钝化层和像素电极层，所述遮光层采用纳米核壳结构构成，所述纳米核壳结构包括纳米核和壳。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述纳米核为窄禁带半导体材料，所述壳为绝缘介质材料。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述纳米核带隙小于2.5eV。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述纳米核采用的材料包括砷化铟、磷化铟中的一种。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述纳米核的直径范围为5-1000nm。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述壳采用的材料包括氧化硅、氧化铝中的一种。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述壳的厚度范围为3-200nm。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述缓冲层完全覆盖所述遮光层。所述缓冲层为绝缘层，该设置方式使得所述缓冲层将所述遮光层和所述有源层完全隔绝开来。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述所述纳米核壳遮光层完全覆盖所述有源层。所述有源层对短波光非常敏感，该设置方式能够使所述纳米核壳遮光层把从基板方向射进来的光线完全阻挡住。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述基板采用的材料包括玻璃基板或柔性衬底中的一种。