[发明专利]制造集成电路的方法以及由该方法制造的集成电路在审
| 申请号： | 201910976808.6 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN111106006A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 托尼·威尔比;史蒂夫·伯吉斯 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 集成电路 方法 以及 | ||
1.一种用于在集成电路制造工艺过程中去除金属互连层的多余金属的方法，所述金属互连层设置在介电层和集成电路之间，所述方法包括以下步骤：
使用包含惰性气体的等离子体，等离子体蚀刻所述金属互连层的多余金属部分一段蚀刻持续时间，所述多余金属部分设置在所述介电层的表面上；
控制所述蚀刻持续时间，以在从所述介电层上完全去除所述多余金属部分之前停止所述等离子体蚀刻；
蚀刻剩余的多余金属部分以从所述介电层上去除多余金属的残留物。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述惰性气体包括氩气。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述蚀刻剩余的多余金属部分包括湿法化学蚀刻。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述蚀刻剩余的多余金属部分包括化学干法蚀刻。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述化学干法蚀刻包括使用碳氟化合物的蚀刻。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述碳氟化合物包括四氟甲烷。
7.根据权利要求5或6所述的方法，其中，所述化学干法蚀刻包括使用氯的蚀刻。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述多余金属部分包括设置在所述介电层上的一个或多个阻挡层和设置在所述一个或多个阻挡层上的铜层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多余金属的残留物包括阻挡层残留物。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括在所述蚀刻工艺期间动态计算所述蚀刻持续时间。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述蚀刻持续时间在所述等离子体蚀刻期间检测到所述介电层的表面时设定。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，使用光学发射光谱法或二次离子质谱法来检测所述介电层的表面。
13.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，还包括在等离子体蚀刻之前计算所述蚀刻持续时间，其中，所述蚀刻持续时间基于所述多余金属部分的已知蚀刻速率来计算。
14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，对所述多余金属部分进行等离子体蚀刻的步骤包括：优先沿基本上横穿所述金属互连层的方向蚀刻所述多余金属部分。
15.一种通过前述权利要求中任一项所述的方法获得的集成电路。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
