[发明专利]存储器单元

权利要求书

1.一种半导体存储器元件，包括：

沟道区域，布置在半导体主体中；

栅极区域，覆在所述沟道区域上方；

第一源极/漏极区域，与所述沟道区域邻近地布置在所述半导体主体中；

第二源极/漏极区域，与所述沟道区域邻近地布置在所述半导体主体中，所述第一源极/漏极区域通过所述沟道区域与所述第二源极/漏极区域隔开；

第一接触，与所述第一源极/漏极区域电接触；以及

第二接触，与所述第一源极/漏极区域电接触并且与所述第一接触隔开，所述第一接触和所述第二接触被配置成使得通过在所述第一接触和所述第二接触之间施加电流，能够不可逆地增加所述第一源极/漏极区域的电阻率。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器元件，其中通过在所述栅极区域的两个接触之间施加所述电流，能够不可逆地增加所述栅极区域的电阻率。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器元件，其中所述电流大于阈值电流的两倍，在所述阈值电流处，所述第一源极/漏极区域的电阻率将不可逆地增加。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器元件，其中通过在所述第一接触和所述第二接触之间施加电压，能够增加所述第一源极/漏极区域的电阻率。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器元件，其中所述电压比控制电压大10％至20％，超过所述控制电压，所述第一源极/漏极区域的电阻率将进一步增加。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器元件，其中所述第一接触和所述第二接触彼此隔开一距离，所述距离在所述第一源极/漏极区域的宽度的大约40％和50％之间。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器元件，其中所述第一源极/漏极区域具有近似230nm的宽度，并且其中所述第一接触和所述第二接触间隔开近似100nm。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器元件，进一步包括第三接触，所述第三接触与所述第二源极/漏极区域电接触，所述第三接触延伸所述第二源极/漏极区域的宽度的至少90％。

9.一种存储器电路，包括多个如权利要求1所述的半导体存储器元件。

10.根据权利要求9所述的电路，其中所述存储器电路包括第一存储器单元和第二存储器单元，其中所述第一存储器单元的所述第一源极/漏极区域与所述第二存储器单元的所述第二源极/漏极区域是共同的。

11.根据权利要求10所述的电路，其中每个存储器单元耦合到写入晶体管和读出晶体管。

12.一种半导体存储器元件，包括：

沟道区域，布置在半导体主体中，所述沟道区域具有长度和宽度；

栅极区域，覆在所述沟道区域上方；

第一源极/漏极区域，与所述沟道区域邻近地布置在所述半导体主体中；

第二源极/漏极区域，与所述沟道区域邻近地布置在所述半导体主体中，所述第一源极/漏极区域通过所述沟道区域与所述第二源极/漏极区域隔开；

第一接触，与所述第一源极/漏极区域电接触；

第二接触，与所述第一源极/漏极区域电接触，并且与所述第一接触隔开在所述宽度的大约40％和50％之间的距离；以及

第三接触，与所述第二源极/漏极区域电接触，所述第三接触延伸所述宽度的至少90％。

13.根据权利要求12所述的半导体存储器元件，进一步包括耦合在所述第一接触和所述第二接触之间的电流源。

14.根据权利要求13所述的半导体存储器元件，其中第一接触和第二接触被配置成使得通过在所述第一接触和所述第二接触之间施加电流，能够不可逆地增加所述第一源极/漏极区域的电阻率。