[发明专利]存储器单元

说明书

一种方法可以用来对存储器单元进行不可逆地编程，存储器单元包括MOS晶体管，MOS晶体管具有通过沟道区域分离的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，沟道区域邻近栅极区域。方法包括沿第一源极/漏极区域的宽度施加电流，以使第一源极/漏极区域的电阻率不可逆地增加。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年10月16日提交的法国专利申请号1859560的优先权，由此该申请通过引用并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及存储器电路，并且更具体地，涉及存储器单元。

背景技术

只读存储器是具有只能被写入一次的内容的存储器。在这种类型的存储器中使用的存储器单元是不可逆编程存储器单元。

将期望至少部分地改进已知的不可逆编程可编程存储器单元的某些方面。

发明内容

本公开的实施例涉及不可逆编程存储器单元的形成。一个实施例克服了已知的不可改变-可编程存储器单元的全部或部分缺点。

一个实施例提供了一种MOS晶体管，其中通过在源极和/或漏极区域的两个接触之间施加电流，能够不可逆地增加源极和/或漏极区域的电阻率。

根据一个实施例，通过在栅极区域的两个接触之间施加电流，进一步能够不可逆地增加栅极区域的电阻率。

根据一个实施例，电流大于阈值。

根据一个实施例，电流大于阈值的两倍。

根据一个实施例，通过在接触之间进一步施加电压，能够增加区域的电阻率。

根据一个实施例，该电压大于控制电压。

根据一个实施例，该电压比控制电压大从10％至20％范围内的百分比。

根据一个实施例，区域具有近似230nm的宽度，并且两个接触间隔开近似100nm。

另一实施例提供了一种存储器单元，其包括之前描述的MOS晶体管。

又一实施例提供了一种存储器电路，其包括至少一个第一之前描述的存储器单元。

根据一个实施例，该电路进一步包括第二存储器单元，该第二存储器单元的晶体管的源极或漏极区域与至少一个第一存储器单元的晶体管的漏极或源极区域是共同的。

根据一个实施例，每个存储器单元耦合到写入晶体管和读出晶体管。

再一实施例提供了一种对存储器单元进行不可逆编程的方法，存储器单元包括MOS晶体管，其中通过施加电流，来不可逆地增加晶体管的源极和/或漏极区域的电阻率。

根据一个实施例，通过过电压，来不可逆地增加晶体管的源极或漏极区域的电阻率。

将在下面结合附图对具体实施例的非限制性描述中详细讨论前述和其他特征和优点。

附图说明

图1示出了存储器单元的一个实施例的电子线路图；

图2示出了图1的存储器单元的俯视图；

图3示出了图1的存储器单元的电流-电压特性；以及

图4示出了存储器电路的简化图。

具体实施方式

在不同的附图中，相同的元件用相同的附图标记指定。特别地，不同实施例共同的结构和/或功能元件可以用相同的附图标记指定，并且可以具有相同的结构、尺寸和材料性质。