[发明专利]重写存储器设备的方法、存储器控制器及其控制方法在审
申请号: | 201910977456.6 | 申请日: | 2019-10-14 |
公开(公告)号: | CN111354397A | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 吴银珠;李永根 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00;G11C29/42 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 纪雯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 重写 存储器 设备 方法 控制器 及其 控制 | ||
1.一种用于控制存储器设备的存储器控制器,所述存储器控制器包括:
错误检查和校正ECC引擎,用于对从所述存储器设备读取的数据执行错误检测;以及
数据操作管理器,用于:
基于所述存储器设备对测试单元的测试读操作的结果,控制所述存储器设备对所选存储器单元的第一重写操作以补偿所选存储器单元的分布的漂移,
当通过使用所述ECC引擎成功地执行与所述存储器设备的正常读操作对应的ECC解码操作时,基于正常读操作的结果来确定分布调整程度,以及
基于所确定的分布调整程度控制所述存储器设备的第二重写操作。
2.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,所述数据操作管理器用于控制所述存储器设备在存储器系统断电之后通电时执行测试读操作,所述存储器系统包括所述存储器设备和所述存储器控制器。
3.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,所述数据操作管理器用于控制所述存储器设备在以下情况下执行所述第一重写操作:当在通过使用第一读电平的测试读操作中检测到的错误单元的数量大于第一阈值时;或当根据通过使用比所述第一读电平高的第二读电平的测试读操作的导通单元的数量大于第二阈值时。
4.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,所述数据操作管理器用于控制所述存储器设备向所选存储器单元施加部分重写脉冲的电压,其中相比于在所述正常读操作中使用的正常读脉冲的电平和持续时间,所述部分重写脉冲具有更高的电平和更短的持续时间。
5.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,当在所述第二重写操作之前所选存储器单元的置位状态分布沿着正电阻轴位于置位状态正常分布的右侧时,所述数据操作管理器用于控制所述第二重写操作使得所选存储器单元的置位状态分布处于置位状态正常分布的左侧。
6.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,当在所述第二重写操作之前所选存储器单元的复位状态分布沿着正电阻轴位于复位状态正常分布的左侧时,所述数据操作管理器被配置为控制所述第二重写操作使得所选存储器单元的复位状态分布处于复位状态正常分布的右侧。
7.一种存储器控制器的控制方法,所述方法包括:
基于对包括在存储器设备中的测试单元的测试读操作的结果,控制所述存储器设备的第一重写操作,以补偿所选存储器单元的分布的漂移;
控制所述存储器设备对所选存储器单元的正常读操作,所述正常读操作使用正常读脉冲;以及
基于根据正常读操作的结果而确定的分布调整程度,控制存储器设备对所选存储器单元的第二重写操作。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,控制所述第一重写操作包括:
将针对所述测试单元的读命令发送给所述存储器设备;
从所述存储器设备接收与所述读命令对应的多条测试数据;
确定所述多条测试数据的分布是否满足指示分布的劣化的第一条件;以及
当满足所述第一条件时,控制所述存储器设备执行所述第一重写操作。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,确定所述多条测试数据的分布是否满足所述第一条件包括:确定根据通过使用第一读电平的测试读操作检测到的错误单元的数量是否大于第一阈值。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,确定所述多条测试数据的分布是否满足所述第一条件包括:确定根据使用第二读电平的测试读操作的导通单元的数量是否大于第二阈值。
11.根据权利要求8所述的方法,其中,控制所述存储器设备执行所述第一重写操作包括:控制所述存储器设备向所选存储器单元施加部分重写脉冲,其中所述部分重写脉冲相比于所述正常读脉冲具有更高的电压电平和更短的持续时间。
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