[发明专利]重写存储器设备的方法、存储器控制器及其控制方法

说明书

提供了重写存储器设备的方法、存储器控制器及其控制方法。所述存储器控制器包括：错误检查和校正(ECC)引擎，用于对从存储器设备读取的数据执行错误检测；以及数据操作管理器。数据操作管理器用于：基于存储器设备对测试单元的测试读操作的结果，控制存储器设备对所选存储器单元的第一重写操作以便补偿所选存储器单元的分布的漂移；当通过使用ECC引擎成功地执行与存储器设备的正常读操作对应的ECC解码操作时，基于正常读操作的结果来确定分布调整程度；以及基于所确定的分布调整程度控制存储器设备的第二重写操作。

相关申请的交叉引用

2018年12月21日在韩国知识产权局提交的题为“Method of Rewriting Data ofMemory Device，Memory Controller Controlling the Memory Device，and ControllingMethod of the Memory Controller”的韩国专利申请No.10-2018-0167887通过引用整体并入本文。

技术领域

实施例涉及重写存储器设备的数据的方法、存储器控制器和通过使用存储器控制器控制存储器设备的方法，更具体地，涉及用于执行数据重写操作的存储器设备、用于控制存储器设备的存储器控制器和存储器控制器的控制方法。

背景技术

作为非易失性存储器设备(包括闪存)，如相变RAM(PRAM)、纳米浮栅存储器(NFGM)、聚合物RAM(PoRAM)、磁RAM(MRAM)、铁电RAM(FeRAM)、电阻RAM(RRAM)的电阻性存储器设备是众所周知的。电阻性存储器具有DRAM的高速以及闪存的非易失性特性。

在电阻性存储器中，存储器单元的阈值电压波动或电阻分布波动可能相对较大。由于存储器单元的电阻分布波动可能导致数据读操作的错误，因此需要一种补偿电阻分布波动的方法。

发明内容

根据一个方面，提供了一种被配置为控制存储器设备的存储器控制器，该存储器控制器包括：错误检查和校正(ECC)引擎，被配置为对从存储器设备读取的数据执行错误检测；以及数据操作管理器，被配置为：基于存储器设备对测试单元的测试读操作的结果，控制存储器设备对所选存储器单元的第一重写操作以便补偿所选存储器单元的分布的漂移；当通过使用所述引擎成功地执行与所述存储器设备的正常读操作对应的ECC解码操作时，基于正常读操作的结果来确定分布调整程度；以及基于所确定的分布调整程度来控制所述存储器设备的第二重写操作。

根据另一方面，提供一种存储器控制器的控制方法，该方法包括：基于对存储在存储器设备中的测试单元的测试读操作的结果，控制存储器设备的第一重写操作，以相对于所选存储器单元补偿分布的漂移；控制存储器设备通过使用正常读脉冲而对所选存储器单元执行的正常读操作；以及基于根据正常读操作的结果而确定的分布调整程度，控制存储器设备相对于所选存储器单元的第二重写操作。

根据另一方面，一种重写存储器设备的数据的方法可以包括：对所选存储器单元执行包括正常复位操作和正常置位操作在内的正常数据写操作，正常复位操作用于通过使用正常复位脉冲来形成复位状态正常分布，正常置位操作用于通过使用正常置位脉冲来形成置位状态正常分布；当根据对测试单元的测试读操作检测到存储器单元的分布的漂移时，对所选存储器单元执行部分重写操作以补偿该漂移；通过使用正常读脉冲对所选存储器单元执行正常读操作；识别存储器单元的分布的劣化方向，该方向根据执行正常读操作来识别；以及基于复位状态下的正常分布和置位状态下的正常分布来执行自适应重写操作，用于在与所识别的劣化方向相反的方向上形成分布。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得显而易见，在附图中：

图1示出了根据示例实施例的数据处理系统；

图2示出了根据示例实施例的存储器控制器；