[发明专利]一种电光调制器

权利要求书

1.一种电光调制器，其特征在于：包括脊波导，所述脊波导包括脊型部和位于所述脊型部两侧的平板部；

所述脊波导中设有第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域的掺杂类型相反；

所述第一掺杂区域包括设于所述脊型部中且沿所述脊型部的延伸方向延伸的竖直区和水平区，以及沿所述脊型部的延伸方向间隔设置的多个垂直区，所述垂直区沿着与所述脊型部延伸方向垂直的方向延伸至所述脊型部一侧的平板部中；

所述水平区、竖直区与所述垂直区相互连接在一起，所述水平区和所述竖直区的底部高于所述脊波导的底部，所述水平区的宽度小于所述脊型部的宽度；

所述第二掺杂区域包括所述脊型部中除所述第一掺杂区域外的部分，所述第二掺杂区延伸至与所述垂直区相对的另一侧的平板部中；

所述第二掺杂区域与所述第一掺杂区域的水平区、竖直区和垂直区邻接分别形成包括水平方向、竖直方向和垂直方向的PN结。

2.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述第一掺杂区域的水平区位于所述竖直区的底部、中部或顶部。

3.根据权利要求2所述的电光调制器，其特征在于：所述第一掺杂区域的水平区位于所述竖直区的一侧或两侧。

4.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述第一掺杂区域的水平区和竖直区的底部比所述脊波导的底部高出至少50nm。

5.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述第一掺杂区域的水平区的厚度大于或等于30nm。

6.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述多个垂直区沿所述脊型部的延伸方向等间距设置。

7.根据权利要求6所述的电光调制器，其特征在于：所述垂直区的占空比为20％～80％。

8.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述垂直区所在的平板部为本征区或第一轻掺杂区域；所述第一轻掺杂区域与所述第一掺杂区域的掺杂类型相同。

9.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述水平区的宽度大于或等于所述竖直区的宽度。

10.根据权利要求1-9任一项所述的电光调制器，其特征在于：

所述脊波导还包括第一重掺杂区域和第二重掺杂区域：

所述第一重掺杂区域位于所述第一掺杂区域垂直区外侧与所述垂直区的末端连接，所述第一重掺杂区域与所述第一掺杂区域的掺杂类型相同，其掺杂浓度高于所述第一掺杂区域的掺杂浓度；

所述第二重掺杂区域位于所述第二掺杂区域外侧与所述第二掺杂区域连接，所述第二重掺杂区域与所述第二掺杂区域的掺杂类型相同，其掺杂浓度高于所述第二掺杂区域的掺杂浓度；

所述电光调制器还包括至少两个电极，所述第一重掺杂区域和第二重掺杂区域分别电连接所述两个电极。

11.根据权利要求10所述的电光调制器，其特征在于：所述垂直区延伸到所述平板部中的延伸长度大于或等于500nm。

12.根据权利要求10所述的电光调制器，其特征在于：

所述脊波导还包括第一中掺杂区域和第二中掺杂区域：

所述第一中掺杂区域位于所述第一掺杂区域与所述第一重掺杂区域之间，与所述垂直区的末端连接，所述第一中掺杂区域与所述第一掺杂区域的掺杂类型相同，其掺杂浓度高于所述第一掺杂区域的掺杂浓度，低于所述第一重掺杂区域的掺杂浓度；

所述第二中掺杂区域位于所述第二掺杂区域与所述第二重掺杂区域之间，所述第二中掺杂区域与所述第二掺杂区域的掺杂类型相同，其掺杂浓度高于所述第二掺杂区域的掺杂浓度，低于所述第二重掺杂区域的掺杂浓度。

13.根据权利要求12所述的电光调制器，其特征在于：所述垂直区延伸到所述平板部中的延伸长度在0～500nm之间。