[发明专利]用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池

权利要求书

1.一种用于制造太阳能电池的方法，包括：

提供由半导体材料构成的基底，所述基底具有第一类型；

通过扩散技术在所述基底的正面处形成具有第二类型的第一半导体区域，所述第二类型与所述第一类型相反；

在所述基底的背面提供钝化膜；

对所述基底的背面进行激光开槽，使得在所述钝化膜处形成多个开槽区域，其中在每个所述开槽区域的宽度内包括交替布置的第一部分和第二部分，第一部分表示以激光光斑对所述开槽区域进行开槽的部分，第二部分表示不以激光光斑对所述开槽区域进行开槽的部分；

在所述基底的正面提供正电极，使得所述正电极与具有第二类型的所述第一半导体区域接触；以及

在所述基底的背面提供背电极，使得所述背电极通过所述开槽区域与具有第一类型的所述基底接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中通过改变所述激光光斑的排列能够调整所述开槽区域的开槽面积。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光光斑包括实线部分和虚线部分，所述激光光斑的实线部分的宽度限定所述开槽区域的第一部分的宽度，所述激光光斑的虚线部分的宽度限定所述开槽区域的第二部分的宽度，并且通过改变所述实线部分与所述虚线部分的比例来调整所述开槽区域的开槽面积。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述实线部分的范围为0.5mm-1mm，所述虚线部分的范围为0.2mm-1mm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中通过激光频率为700-950kHz、雕刻速度为20000-35000mm/s、激光光斑直径为20-40μm、激光根数为149根的激光工艺来进行所述激光开槽。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述开槽面积为165-400mm²。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，还包括：

在通过扩散技术形成具有第二类型的所述第一半导体区域之前，对所述基底进行表面制绒。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，还包括：

在所述基底的正面进行激光处理，以形成具有第二类型的第二半导体区域，所述第二半导体区域的掺杂浓度大于所述第一半导体区域的掺杂浓度；以及

对所述基底的背面和四周进行刻蚀，以去除位于所述基底的背面和四周处的与所述第一半导体区域具有相同类型的部分。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，还包括：

在所述第一半导体区域的上方提供减反膜。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，

所述减反膜通过SiNx沉积形成。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，

所述钝化膜通过Al2O3/SiNx沉积形成。

12.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，

所述太阳能电池是PERC双面电池。

13.一种太阳能电池，其中所述太阳能电池根据权利要求1至12中任一项所述的方法制造。