[发明专利]用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池

说明书

本公开涉及用于制造太阳能电池的方法，包括：提供由半导体材料构成的基底，基底具有第一类型；通过扩散技术在基底的正面形成具有第二类型的第一半导体区域，第二类型与第一类型相反；在基底的背面提供钝化膜；对基底的背面进行激光开槽，使得在钝化膜处形成多个开槽区域，其中在每个开槽区域的宽度内包括交替布置的第一部分和第二部分，第一部分表示以激光光斑对开槽区域进行开槽的部分，第二部分表示不以激光光斑对开槽区域进行开槽的部分；在基底的正面提供正电极，使得正电极与具有第二类型的第一半导体区域接触；以及述基底的背面提供背电极，使得背电极通过开槽区域与具有第一类型的基底接触。

技术领域

本公开的各实施例涉及太阳能电池领域，具体地涉及一种用于制造太阳能电池的方法和相应的太阳能电池。

背景技术

目前晶体硅太阳能电池大多数以P型硅片为基底材料，P型电池在实际环境中经过光照后电池效率会发生极大的衰减，绝对效率会降低至1-2％，即所谓的光致衰减(LID：Light induced degradation)。

光致衰减现象最早在1973年由Fishcher等人发现，并同时研究在黑暗条件下对电池加正向偏压，也会发生电池效率衰减，即所谓的电致衰减(CID：Current induceddegradation)。

光致衰减常作为太阳能电池品质检测的一个标准，而电致衰减则极少作为标准。但是太阳能电池的光致衰减过程经常受到天气等因素的影响，所以电致衰减的检测逐渐被广大研究人员所认可，并探究其机理。

电致衰减一方面类似光致衰减，证实是由于硅片中导入过剩载流子使硅片中形成复合中心，即著名的B-O缺陷体或金属杂质缺陷。由于目前对电致衰减的检测条件为小注入情况，温度为100度左右，与多晶电池的光热衰减(LETID：Light and elevatedtemperature induced degradation)测试温度类似。目前广大科研人员针对此类衰减提出机理：其一，由过量H产生杂质复合中心(正面介质膜H含量)；其二，硅片基底内金属杂质(Cu、Fe、Ni等)复合中心；其三，即上述B-O缺陷复合体；其四，背膜钝化衰减现象。

发明内容

本公开的实施例提供了一种用于制造太阳能电池的方法和相应的太阳能电池。

在本公开的第一方面，提供了一种用于制造太阳能电池的方法。该方法包括：提供由半导体材料构成的基底，基底具有第一类型；通过扩散技术在基底的正面处形成具有第二类型的第一半导体区域，第二类型与第一类型相反；在基底的背面提供钝化膜；对基底的背面进行激光开槽，使得在钝化膜处形成多个开槽区域，其中在每个开槽区域的宽度内包括交替布置的第一部分和第二部分，第一部分表示以激光光斑对开槽区域进行开槽的部分，第二部分表示不以激光光斑对开槽区域进行开槽的部分；在基底的正面提供正电极，使得正电极与具有第二类型的第一半导体区域接触；以及述基底的背面提供背电极，使得背电极通过开槽区域与具有第一类型的基底接触。

在本公开的第二方面，提供了一种太阳能电池。该太阳能电池通过根据本公开第一方面的方法制造。

在本公开的第三方面，提供了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：由半导体材料构成的基底，基底具有第一类型；位于基底正面的第一半导体区域，第一半导体区域具有与第一类型相反的第二类型；正电极，正电极与第一半导体区域接触；位于基底背面的钝化膜，钝化膜包括多个开槽区域，其中在每个开槽区域的宽度内包括交替布置的第一部分和第二部分，第一部分表示以激光光斑对开槽区域进行开槽的部分，第二部分表示不以激光光斑对开槽区域进行开槽的部分；以及背电极，背电极通过开槽区域与基底接触。

提供发明内容部分是为了以简化的形式来介绍对概念的选择，它们在下文的具体实施方式中将被进一步描述。发明内容部分无意标识本公开的关键特征或必要特征，也无意限制本公开的范围。

附图说明