[发明专利]用于非挥发性存储器的测试校调方法及测试校调电路有效
申请号: | 201910981001.1 | 申请日: | 2019-10-16 |
公开(公告)号: | CN110751978B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 高璐 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 挥发性 存储器 测试 方法 电路 | ||
1.一种用于非挥发性存储器的测试校调方法,其特征在于,包括:
接收控制信号;
根据所述控制信号确定工作模式;
从非挥发性存储器的OTP区中读出修整数据;
当所述工作模式为用户模式时,验证所述修整数据与前次写入所述非挥发性存储器OTP区中的数据是否一致;
当所述修整数据与前次写入所述非挥发性存储器中的数据一致时,发送反馈信号;
当所述工作模式为测试模式时,对所述修整数据进行校调生成校调数据;
将校调后生成的校调数据写入非挥发性存储器的OTP区。
2.如权利要求1所述的用于非挥发性存储器的测试校调方法,其特征在于,所述对所述修整数据进行校调生成校调数据,包括:
通过生成测试向量对所述修整数据进行校调生成校调数据。
3.如权利要求1所述的用于非挥发性存储器的测试校调方法,其特征在于,所述验证所述修整数据与前次写入所述非挥发性存储器中的数据是否一致,包括:
将所述修整数据与所述修整数据的反值进行比对;
当所述修整数据与所述反值相匹配时,确定所述修整数据与前次写入所述非挥发性存储器中数据一致。
4.如权利要求3所述的用于非挥发性存储器的测试校调方法,其特征在于,所述从非挥发性存储器的OTP区中读出修整数据,包括:
从所述非挥发性存储器中读出修整数据和所述修整数据的反值。
5.一种用于非挥发性存储器的测试校调电路,其特征在于,所述用于非挥发性存储器的测试校调电路包括:接口模块、模式控制模块、测试模块和响应分析模块;
所述接口模块用于接收控制信号;
所述模式控制模块用于根据所述控制信号确定工作模式;
所述测试模块用于从非挥发性存储器的OTP区中读出修整数据,当所述工作模式为用户模式时,验证所述修整数据与前次写入所述非挥发性存储器中的数据是否一致,并输出验证结果给所述响应分析模块;所述测试模块还用于当所述工作模式为测试模式时,对所述修整数据进行校调;将校调后生成的校调数据写入非挥发性存储器的OTP区;
所述响应分析模块用于当所述验证结果为所述修整数据与所述前次写入所述非挥发性存储器中的数据一致时,发送反馈信号。
6.如权利要求5所述的用于非挥发性存储器的测试校调电路,其特征在于,所述测试模块包括:参数自动调整模块、寄存器组和存储器控制模块;
所述存储器控制模块用于根据所述工作模式向非挥发性存储器的OTP区中写入或读出修整数据,将从OTP区中读出的修整数据载入所述寄存器组中;
所述参数自动调整模块包括验证单元,所述验证单元能够在用户模式下,验证所述修整数据与前次写入所述非挥发性存储器中的数据是否一致,并输出验证结果。
7.如权利要求6所述的用于非挥发性存储器的测试校调电路,其特征在于,所述验证单元包括正反值比对单元;
所述正反值比对单元用于将所述修整数据与修整数据反值进行比对;当所述修整数据与所述反值相匹配时,确定所述修整数据与所述前次写入所述非挥发性存储器中数据一致。
8.如权利要求6所述的用于非挥发性存储器的测试校调电路,其特征在于,所述参数自动调整模块还包括校调单元;
所述校调单元用于在测试模式下对所述修整数据进行校调生成校调数据,并将所述校调数据写入非挥发性存储器的OTP区中。
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