[发明专利]固态摄像装置和电子设备在审
申请号: | 201910982547.9 | 申请日: | 2014-07-04 |
公开(公告)号: | CN110808257A | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 伊东恭佑 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369;H04N9/04 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 装置 电子设备 | ||
1.一种固态摄像装置,其包括:
串扰抑制机构,所述串扰抑制机构被包含在布置于像素阵列中的每个像素中,在所述像素阵列的有效区域中,一部分像素的所述串扰抑制机构与其它像素的所述串扰抑制机构不同。
2.根据权利要求1所述的固态摄像装置,
其中,所述串扰抑制机构是设置于像素间的DTI。
3.根据权利要求2所述的固态摄像装置,其中:
所述像素阵列的所述有效区域中的所述一部分像素是用于获取在像平面相位差AF中使用的相位差信号的多个相位差像素;并且
被所述相位差像素围绕的像素周围的DTI被去除。
4.根据权利要求3所述的固态摄像装置,其中:
所述相位差像素的光电二极管的开口部被遮光。
5.根据权利要求2所述的固态摄像装置,其中:
所述像素阵列的所述有效区域中的所述一部分像素是用于获取在像平面相位差AF中使用的相位差信号的多个相位差像素;并且
所述DTI仅设置在被所述相位差像素围绕的像素的周围。
6.根据权利要求5所述的固态摄像装置,其中:
所述相位差像素的光电二极管的开口部被遮光。
7.根据权利要求1所述的固态摄像装置,
其中,所述串扰抑制机构是通过调节布置在所述像素阵列中的像素的离子注入量来实现的。
8.根据权利要求7所述的固态摄像装置,其中:
所述像素阵列的所述有效区域中的所述一部分像素是用于获取在像平面相位差AF中使用的相位差信号的多个相位差像素;并且
被所述相位差像素围绕的像素的电子屏障的离子注入量小于其它像素的电子屏障的离子注入量。
9.根据权利要求7所述的固态摄像装置,其中:
所述像素阵列的所述有效区域中的所述一部分像素是用于获取在像平面相位差AF中使用的相位差信号的多个相位差像素;并且
被所述相位差像素围绕的像素的感测区域的离子注入量小于其它像素的感测区域的离子注入量。
10.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中:
所述串扰抑制机构是OBB;
所述像素阵列的所述有效区域中的所述一部分像素是用于获取在像平面相位差AF中使用的相位差信号的多个相位差像素;并且
被所述相位差像素围绕的像素的所述OBB被去除。
11.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中:
所述串扰抑制机构是波导;
所述像素阵列的所述有效区域中的所述一部分像素是用于获取在像平面相位差AF中使用的相位差信号的多个相位差像素;并且
被所述相位差像素围绕的像素的所述波导被去除。
12.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中:
所述串扰抑制机构是片上透镜;
所述像素阵列的所述有效区域中的所述一部分像素是用于获取在像平面相位差AF中使用的相位差信号的多个相位差像素;并且
被所述相位差像素围绕的像素的所述片上透镜被构成为使该片上透镜的聚光特性变弱。
13.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中:
所述串扰抑制机构是通过滤色器来实现的;
所述像素阵列的所述有效区域中的所述一部分像素是用于获取在像平面相位差AF中使用的相位差信号的多个相位差像素;并且
只有被所述相位差像素围绕的像素的所述滤色器是白色的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的