[发明专利]固态摄像装置和电子设备

说明书

本发明公开了固态摄像装置和电子设备。所述固态摄像装置含有串扰抑制机构，所述串扰抑制机构被包含在布置于像素阵列中的每个像素中，在所述像素阵列的有效区域中，一部分像素的所述串扰抑制机构与其它像素的所述串扰抑制机构不同。所述电子设备含有所述固态摄像装置。根据本发明，能够尽可能地避免像素信号校正并且能够适当地执行像平面相位差AF。

本申请是申请日为2014年7月4日、发明名称为“固态摄像装置和电子设备”的申请号为201410319147.7专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及固态摄像装置和电子设备，更加具体地，涉及能够适当地执行像平面相位差AF并且能够尽可能多地避免像素信号的校正的固态摄像装置和电子设备。

背景技术

近年来，相机采用像平面相位差AF来实现模型小型化和AF(自动对焦)功能。

在像平面相位差AF中，通过在视角内布置多个像素并从这些像素中获取相位差信号来进行AF，在这些像素中，光电二极管(PD)的开口部的上下左右被部分地遮光。

因为AF速度高于对比AF系统的速度且不必安装AF摄像器件，所以像平面相位差AF在相机小型化和成本降低方面是有效的。

像平面相位差AF像素(也被称为相位差像素)具有这样的像素结构：其中，PD的左一半或右一半或者PD的上一半或下一半被遮光。相位差像素成对布置(不总是需要彼此相邻)，且两个相位差像素根据它们的不同的斜入射特性生成单个相位差信号(例如，参见日本专利申请第2009-157198号公报)。

发明内容

然而，在相关技术的像平面相位差AF中，相位差像素的灵敏度总是低于普通像素的灵敏度，并且难以将输出信号用于摄像。

因此，在相关技术中，为了获取与相位差像素的像素位置相对应的像素信号，必须要进行缺陷校正。

此外，当为了提高AF特性而提高相位差像素的密度时，存在着缺陷像素变得显眼或电路规模变大的担心。此外，由于因遮光膜的反射而造成的串扰也发生在与相位差像素邻近的普通像素中，所以串扰校正也是必需的。

本发明是鉴于如上所述的情况而做出的，且因此存在对如下技术的需求：通过该技术，能够尽可能地避免像素信号校正并且能够适当地执行像平面相位差AF。

根据本发明的实施例，提出了一种包括串扰抑制机构的固态摄像装置，所述串扰抑制机构被包含在布置于像素阵列中的每个像素中，在所述像素阵列的有效区域中，一部分像素的所述串扰抑制机构与其它像素的所述串扰抑制机构不同。

所述串扰抑制机构可以是DTI。

所述像素阵列的所述有效区域中的所述一部分像素可以是用于获取在像平面相位差AF中使用的相位差信号的多个相位差像素，并且被所述相位差像素围绕的像素周围的DTI可以被去除。

所述像素阵列的所述有效区域中的所述一部分像素可以是用于获取在像平面相位差AF中使用的相位差信号的多个相位差像素，并且所述DTI可以仅设置在被所述相位差像素围绕的像素的周围。

所述串扰抑制机构可以通过调节布置在所述像素阵列中的像素的离子注入量来实现。

所述像素阵列的所述有效区域中的所述一部分像素可以是用于获取在像平面相位差AF中使用的相位差信号的多个相位差像素，并且被所述相位差像素围绕的像素的电子屏障的离子注入量可以小于其它像素的电子屏障的离子注入量。

所述像素阵列的所述有效区域中的所述一部分像素可以是用于获取在像平面相位差AF中使用的相位差信号的多个相位差像素，并且被所述相位差像素围绕的像素的感测区域的离子注入量可以小于其它像素的感测区域的离子注入量。