[发明专利]存储器件的制造方法及该存储器件

权利要求书

1.一种存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底包括存储单元区域和外围电路区域，所述存储单元区域形成有栅极，所述栅极自下而上依次包括浮栅、控制氧化层和控制栅，所述外围电路区域形成有控制栅；

对所述存储单元区域的有源区进行离子注入；

在所述衬底上沉积隔离层，所述隔离层的最外层包括氮化硅层；

对所述隔离层进行刻蚀，直至衬底平面上的氧化硅层暴露在外；

对所述外围电路区域的源端漏端进行离子注入；

在所述衬底沉积氧化硅层，使所述衬底上的图形被所述氧化硅层覆盖；

去除所述存储单元区域的所述氧化硅层；

通过湿刻蚀工艺去除所述存储单元区域最外层的氮化硅层；

对存储区域的漏端进行离子注入；

在所述衬底沉积络合物阻挡层；

去除所述存储单元区域的漏端，以及所述控制栅上的络合物阻挡层；

在所述衬底沉积金属层；

对所述衬底进行一次退火处理，使金属层与衬底的硅反应生成络合物层；

去除所述金属层中未与硅反应的部分；

对所述衬底进行二次退火处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离层从内至外依次包括氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层以及氮化硅层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过湿刻蚀工艺去除所述存储单元区域最外层的氮化硅层，包括：

通过磷酸湿刻蚀工艺对所述存储单元区域最外层的氮化硅层进行去除。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底沉积氧化硅层，包括：

在所述衬底沉积厚度大于30埃的氧化硅层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，沉积在所述衬底上的氧化硅层的厚度小于200埃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过湿刻蚀工艺去除所述存储单元区域最外层的氮化硅层，包括：

通过存储单元VT掩模板光罩所述外围电路区域，通过湿刻蚀工艺去除所述存储单元区域的氮化硅层。

7.根据权利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述去除所述存储单元区域的漏端，以及所述控制栅上的络合物阻挡层，包括：

通过干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺去除所述存储单元区域的漏端，以及所述控制栅上的络合物阻挡层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述衬底进行一次退火处理，包括：

通过快速退火工艺对所述衬底进行一次退火处理。

9.一种存储器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上形成有氧化硅层；

栅极，所述栅极形成于所述衬底的存储单元区域，所述栅极自下而上依次包括浮栅、控制氧化层和控制栅，所述栅极的周侧形成有第一侧墙，所述第一侧墙的最外层包括氧化硅层；

控制栅，所述控制栅形成于在衬底的外围电路区域，所述控制栅的周侧形成有第二侧墙，所述第二侧墙的最外层包括氮化硅层；

所述栅极的顶层、位于所述栅极一侧的漏端、外围电路的控制栅的顶层以及所述外围电路的源端漏端形成有络合物层。

10.根据权利要求9所述的存储器件，其特征在于，所述第一侧墙从内至外依次包括氧化硅层、氮化硅层以及氧化硅层。

11.根据权利要求9或10所述的存储器件，其特征在于，所述第二侧墙从内至外依次包括氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层以及氮化硅层。