[发明专利]存储器元件

权利要求书

1.一种存储器元件，其特征在于，包括：

一基板(110)，具有一上表面(110a)；

一叠层结构(S1)，位于该基板的该上表面上，其中该叠层结构包括交替堆叠于该上表面上的多个绝缘层(IL1)及多个导电层(CL1)；

多个通道结构(112)，穿过部分的该叠层结构并电性连接于该基板；

多个存储层(114)，这些存储层环绕所对应的这些通道结构；以及

多个浅隔离结构(124)，由该叠层结构的一顶面(S1a)朝向该基板的方向延伸，其中各该浅隔离结构包括一物质，该物质的介电常数小于3.9。

2.如权利要求1所述的存储器元件，其中该物质是氟掺杂的二氧化硅、碳掺杂的氧化物、多孔二氧化硅、旋涂式有机聚合物介电质、旋涂式硅基聚合物介电质或空气间隙。

3.如权利要求1所述的存储器元件，其中各该浅隔离结构穿过位于该叠层结构的上部的3个或大于3个的这些导电层。

4.如权利要求3所述的存储器元件，其中该浅隔离结构将该叠层结构的该上部的3个或大于3个的这些导电层分隔成两个电性独立的串行选择线。

5.如权利要求1所述的存储器元件，还包括多个导电连接结构，这些导电连接结构穿过该叠层结构并电性连接于该基板。

6.如权利要求5所述的存储器元件，其中这些导电连接结构及这些浅隔离结构分别沿着一第一方向延伸，且在该基板上沿着一第二方向配置，该第一方向及该第二方向皆平行于该基板的该上表面，且该第一方向与该第二方向交错，

其中在该第二方向中，各该浅隔离结构的宽度小于各该导电连接结构的宽度，且在该基板的该上表面的法线方向上，各该浅隔离结构的深度是小于各该导电连接结构的深度。

7.如权利要求5所述的存储器元件，其中这些导电连接结构将该存储器元件分为多个区块，这些浅隔离结构将各该区块分为多个次区块。

8.如权利要求5所述的存储器元件，其中相邻的2个这些导电连接结构之间具有2个或大于2个的这些浅隔离结构。

9.如权利要求1所述的存储器元件，其中这些浅隔离结构沿着一第一方向延伸，且在该基板上沿着一第二方向配置，该第一方向及该第二方向皆平行于该基板的该上表面，且该第一方向与该第二方向之间具有一非平角，

其中在该第二方向中，各该浅隔离结构的宽度是等于或小于各该通道结构的宽度。

10.如权利要求1所述的存储器元件，其中这些浅隔离结构直接接触所对应的这些导电层。