[发明专利]存储器元件在审
申请号: | 201910986718.5 | 申请日: | 2019-10-17 |
公开(公告)号: | CN112614844A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 古绍泓;程政宪;蔡文哲 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11529 | 分类号: | H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578;H01L27/112 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 元件 | ||
1.一种存储器元件,其特征在于,包括:
一基板(110),具有一上表面(110a);
一叠层结构(S1),位于该基板的该上表面上,其中该叠层结构包括交替堆叠于该上表面上的多个绝缘层(IL1)及多个导电层(CL1);
多个通道结构(112),穿过部分的该叠层结构并电性连接于该基板;
多个存储层(114),这些存储层环绕所对应的这些通道结构;以及
多个浅隔离结构(124),由该叠层结构的一顶面(S1a)朝向该基板的方向延伸,其中各该浅隔离结构包括一物质,该物质的介电常数小于3.9。
2.如权利要求1所述的存储器元件,其中该物质是氟掺杂的二氧化硅、碳掺杂的氧化物、多孔二氧化硅、旋涂式有机聚合物介电质、旋涂式硅基聚合物介电质或空气间隙。
3.如权利要求1所述的存储器元件,其中各该浅隔离结构穿过位于该叠层结构的上部的3个或大于3个的这些导电层。
4.如权利要求3所述的存储器元件,其中该浅隔离结构将该叠层结构的该上部的3个或大于3个的这些导电层分隔成两个电性独立的串行选择线。
5.如权利要求1所述的存储器元件,还包括多个导电连接结构,这些导电连接结构穿过该叠层结构并电性连接于该基板。
6.如权利要求5所述的存储器元件,其中这些导电连接结构及这些浅隔离结构分别沿着一第一方向延伸,且在该基板上沿着一第二方向配置,该第一方向及该第二方向皆平行于该基板的该上表面,且该第一方向与该第二方向交错,
其中在该第二方向中,各该浅隔离结构的宽度小于各该导电连接结构的宽度,且在该基板的该上表面的法线方向上,各该浅隔离结构的深度是小于各该导电连接结构的深度。
7.如权利要求5所述的存储器元件,其中这些导电连接结构将该存储器元件分为多个区块,这些浅隔离结构将各该区块分为多个次区块。
8.如权利要求5所述的存储器元件,其中相邻的2个这些导电连接结构之间具有2个或大于2个的这些浅隔离结构。
9.如权利要求1所述的存储器元件,其中这些浅隔离结构沿着一第一方向延伸,且在该基板上沿着一第二方向配置,该第一方向及该第二方向皆平行于该基板的该上表面,且该第一方向与该第二方向之间具有一非平角,
其中在该第二方向中,各该浅隔离结构的宽度是等于或小于各该通道结构的宽度。
10.如权利要求1所述的存储器元件,其中这些浅隔离结构直接接触所对应的这些导电层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的