[发明专利]存储器元件在审

专利信息
申请号: 201910986718.5 申请日: 2019-10-17
公开(公告)号: CN112614844A 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 古绍泓;程政宪;蔡文哲 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/11529 分类号: H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578;H01L27/112
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器 元件
【权利要求书】:

1.一种存储器元件,其特征在于,包括:

一基板(110),具有一上表面(110a);

一叠层结构(S1),位于该基板的该上表面上,其中该叠层结构包括交替堆叠于该上表面上的多个绝缘层(IL1)及多个导电层(CL1);

多个通道结构(112),穿过部分的该叠层结构并电性连接于该基板;

多个存储层(114),这些存储层环绕所对应的这些通道结构;以及

多个浅隔离结构(124),由该叠层结构的一顶面(S1a)朝向该基板的方向延伸,其中各该浅隔离结构包括一物质,该物质的介电常数小于3.9。

2.如权利要求1所述的存储器元件,其中该物质是氟掺杂的二氧化硅、碳掺杂的氧化物、多孔二氧化硅、旋涂式有机聚合物介电质、旋涂式硅基聚合物介电质或空气间隙。

3.如权利要求1所述的存储器元件,其中各该浅隔离结构穿过位于该叠层结构的上部的3个或大于3个的这些导电层。

4.如权利要求3所述的存储器元件,其中该浅隔离结构将该叠层结构的该上部的3个或大于3个的这些导电层分隔成两个电性独立的串行选择线。

5.如权利要求1所述的存储器元件,还包括多个导电连接结构,这些导电连接结构穿过该叠层结构并电性连接于该基板。

6.如权利要求5所述的存储器元件,其中这些导电连接结构及这些浅隔离结构分别沿着一第一方向延伸,且在该基板上沿着一第二方向配置,该第一方向及该第二方向皆平行于该基板的该上表面,且该第一方向与该第二方向交错,

其中在该第二方向中,各该浅隔离结构的宽度小于各该导电连接结构的宽度,且在该基板的该上表面的法线方向上,各该浅隔离结构的深度是小于各该导电连接结构的深度。

7.如权利要求5所述的存储器元件,其中这些导电连接结构将该存储器元件分为多个区块,这些浅隔离结构将各该区块分为多个次区块。

8.如权利要求5所述的存储器元件,其中相邻的2个这些导电连接结构之间具有2个或大于2个的这些浅隔离结构。

9.如权利要求1所述的存储器元件,其中这些浅隔离结构沿着一第一方向延伸,且在该基板上沿着一第二方向配置,该第一方向及该第二方向皆平行于该基板的该上表面,且该第一方向与该第二方向之间具有一非平角,

其中在该第二方向中,各该浅隔离结构的宽度是等于或小于各该通道结构的宽度。

10.如权利要求1所述的存储器元件,其中这些浅隔离结构直接接触所对应的这些导电层。

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