[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法在审
申请号: | 201910987234.2 | 申请日: | 2019-10-17 |
公开(公告)号: | CN111063633A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 金松泰范;中井仁司;奥谷学 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,对具有上表面以及背面的基板进行处理,其中,
所述基板处理装置具有:
基板保持部,保持所述基板的所述背面的中央部并使所述基板旋转;
填充材料供给部,向被所述基板保持部保持的所述基板的所述上表面供给填充材料;
第一清洗液供给部,向被所述基板保持部保持的所述基板的所述背面供给清洗液,
所述第一清洗液供给部朝向所述基板的所述背面中的被所述基板保持部保持的区域供给所述清洗液。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述基板保持部吸附于所述基板的所述背面的中央部。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
从所述第一清洗液供给部供给至所述基板的所述背面的清洗液在所述基板的所述背面扩散,接近所述基板的所述背面中的被所述基板保持部保持的区域。
4.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述第一清洗液供给部具有至少一个喷嘴,所述至少一个喷嘴喷出所述清洗液。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其中,
所述至少一个喷嘴以将到达所述基板的所述背面之前的所述清洗液的行进方向投影至所述基板的所述背面的分量与以所述基板的中心为基准的到达点的法线方向平行的方式,朝向所述基板。
6.如权利要求4所述的基板处理装置,其中,
所述至少一个喷嘴包括第一喷嘴和第二喷嘴,
从所述基板的中心到通过所述第一喷嘴向所述基板喷出所述清洗液的地点为止的距离与从所述基板的中心到通过所述第二喷嘴向所述基板喷出所述清洗液的地点为止的距离不同。
7.如权利要求6所述的基板处理装置,其中,
从所述第一喷嘴喷出的清洗液与从所述第二喷嘴喷出的清洗液不同。
8.如权利要求4所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具有使所述至少一个喷嘴沿水平方向移动的喷嘴移动部。
9.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具有第二清洗液供给部,所述第二清洗液供给部供给用于清洗所述基板的侧面的清洗液。
10.如权利要求9所述的基板处理装置,其中,
从所述基板的中心到通过所述第二清洗液供给部向所述基板供给所述清洗液的地点为止的距离比从所述基板的中心到通过所述第一清洗液供给部向所述基板供给所述清洗液的地点为止的距离长。
11.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述清洗液包括异丙醇、丙二醇单甲醚乙酸酯、1-乙氧基-2-丙醇以及丙酮中的至少一种。
12.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具有向所述基板的所述背面供给非活性气体的非活性气体供给部。
13.一种基板处理方法,对具有上表面以及背面的基板进行处理,其中,
所述基板处理方法包括:
保持所述基板的所述背面的中央部并使所述基板旋转的工序;
向所述基板的所述上表面供给填充材料的填充材料供给工序;以及
在所述填充材料供给工序之后,向所述基板的所述背面供给清洗液的清洗液供给工序,
所述清洗液供给工序包括朝向所述基板的所述背面中的所述基板被保持的区域供给所述清洗液的工序。
14.如权利要求13所述的基板处理方法,其中,
在所述清洗液供给工序中,供给至所述基板的所述背面的清洗液在所述基板的所述背面扩展,接近所述基板的所述背面中的所述基板被保持的区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造