[发明专利]半导体器件及制造其的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

在基板上形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成绝缘层；

形成穿过所述绝缘层的通路以暴露所述第一导电层；

在所述绝缘层、所述通路的侧壁和所述通路的与所述第一导电层接触的底部上形成自组装单层；

去除所述自组装单层的在所述绝缘层上的第一部分，同时留下所述自组装单层的在所述通路的所述侧壁和所述通路的所述底部处的第二部分；

从所述通路的所述侧壁去除所述自组装单层，同时在所述通路的所述底部处留下所述自组装单层；

在所述通路的所述侧壁处形成阻挡层；

从所述通路的所述底部去除所述自组装单层，以暴露所述第一导电层；以及

在所述阻挡层和所述通路的所述底部上形成第二导电层，使得所述第一导电层电连接到所述第二导电层而在所述通路的所述底部处在所述第一导电层与所述第二导电层之间没有所述阻挡层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述绝缘层、所述通路的所述侧壁和所述通路的所述底部上形成所述自组装单层之后，在所述自组装单层上形成牺牲层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述牺牲层包括有机材料。

4.根据权利要求2所述的方法，还包括：去除所述牺牲层的在所述通路外部的第一部分，同时留下所述牺牲层的在所述通路内部的第二部分，以保持在所述通路内的所述自组装单层上的覆盖。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：去除所述自组装单层的在所述绝缘层上的所述第一部分，其中在被去除之前，所述自组装单层的所述第一部分不被所述牺牲层的所述第二部分覆盖。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：去除所述牺牲层的在所述通路内部的所述第二部分，以在所述通路内暴露所述自组装单层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在去除所述通路的所述侧壁处的所述自组装单层之前，所述通路的所述侧壁处的所述自组装单层具有比所述通路的所述底部处的所述自组装单层小的厚度。

8.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

在基板上形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成绝缘层；

形成穿过所述绝缘层的通路，以暴露所述第一导电层；

在所述通路的底部上形成自组装单层；

在所述通路的侧壁处形成阻挡层；

去除在所述通路的所述底部上的所述自组装单层；以及

在所述阻挡层和所述通路的所述底部上形成第二导电层，使得所述第一导电层电连接到所述第二导电层而在所述通路的所述底部处在所述第一导电层与所述第二导电层之间没有所述阻挡层。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：在所述通路的所述侧壁处形成所述自组装单层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：去除所述通路的所述侧壁处的所述自组装单层，同时留下所述通路的所述底部处的所述自组装单层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在去除所述通路的所述侧壁处的所述自组装单层之前，所述通路的所述侧壁处的所述自组装单层的厚度小于所述通路的所述底部处的所述自组装单层的厚度。

12.根据权利要求8所述的方法，还包括：在所述通路的所述侧壁和所述通路的所述底部处形成所述自组装单层之后，在所述自组装单层上形成牺牲层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述牺牲层包括有机材料。

14.根据权利要求8所述的方法，还包括：在所述绝缘层上形成所述自组装单层。