[发明专利]半导体器件及制造其的方法

说明书

本发明涉及一种半导体器件及制造其的方法。在制造半导体器件的方法中，该方法包括：在基板上形成第一导电层；在第一导电层上形成绝缘层；形成穿过绝缘层的通路以暴露第一导电层；在通路的底部上形成自组装单层(SAM)；在通路的侧壁处形成阻挡层；去除通路的底部上的SAM；以及在阻挡层和通路的底部上形成第二导电层，使得第一导电层电连接到第二导电层而在通路的底部处在第一导电层和第二导电层之间没有阻挡层。

技术领域

本发明的一些示例实施方式的方面针对半导体器件及制造其的方法。

背景技术

半导体器件通常存在于现代电子产品中。半导体器件在电部件的数量和密度上不同。分立半导体器件通常包含一种类型的电部件，例如发光二极管(LED)、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器和功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。集成半导体器件通常包含数百至数百万个电部件。

背景技术部分中的上述信息仅用于增强对技术背景的理解，因此不应被解释为承认现有技术的存在或相关性。

发明内容

本发明的一些示例实施方式的方面针对半导体器件及制造其的方法。

根据本公开的一些示例实施方式，在一种制造半导体器件的方法中，该方法包括：在基板上形成第一导电层；在第一导电层上形成绝缘层；形成穿过绝缘层的通路，以暴露第一导电层；在绝缘层、通路的侧壁和通路的与第一导电层接触的底部上形成自组装单层(SAM)；去除SAM的在绝缘层上第一部分，同时留下SAM的在通路的侧壁和通路的底部处的第二部分；从通路的侧壁去除SAM，同时在通路的底部处留下SAM；在通路的侧壁处形成阻挡层；从通路的底部去除SAM，以暴露第一导电层；以及在阻挡层和通路底部上形成第二导电层，使得第一导电层电连接到第二导电层而在通路的底部处在第一导电层与第二导电层之间没有阻挡层。

根据一些示例实施方式，该方法还包括：在绝缘层、通路的侧壁和通路的底部上形成SAM之后，在SAM上形成牺牲层。

根据一些示例实施方式，牺牲层包括有机材料。

根据一些示例实施方式，该方法还包括：去除牺牲层的在通路外部的第一部分，同时留下牺牲层的在通路内部的第二部分，以保持在通路内的SAM上的覆盖。

根据一些示例实施方式，该方法还包括：去除SAM的在绝缘层上的第一部分，其中在被去除之前，SAM的第一部分不被牺牲层的第二部分覆盖。

根据一些示例实施方式，该方法还包括：去除牺牲层的在通路内部的第二部分，以在通路内暴露SAM。

根据一些示例实施方式，在去除通路的侧壁处的SAM之前，通路的侧壁处的SAM具有比通路的底部处的SAM小的厚度。

根据本公开的一些示例实施方式，在一种制造半导体器件的方法中，该方法包括：在基板上形成第一导电层；在第一导电层上形成绝缘层；形成穿过绝缘层的通路，以暴露第一导电层；在通路的底部上形成自组装单层(SAM)；在通路的侧壁处形成阻挡层；去除通路的底部上的SAM；以及在阻挡层和通路的底部上形成第二导电层，使得第一导电层电连接到第二导电层而在通路的底部处在第一导电层与第二导电层之间没有阻挡层。

根据一些示例实施方式，该方法还包括在通路的侧壁处形成SAM。

根据一些示例实施方式，该方法还包括：去除通路的侧壁处的SAM，同时留下通路的底部处的SAM。

根据一些示例实施方式，在去除通路的侧壁处的SAM之前，通路的侧壁处的SAM的厚度小于通路的底部处的SAM的厚度。

根据一些示例实施方式，该方法还包括：在通路的侧壁和通路的底部处形成SAM之后，在SAM上形成牺牲层。

根据一些示例实施方式，牺牲层包括有机材料。