[发明专利]小功率片内整流桥电路在审
| 申请号： | 201910987973.1 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110545047A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 赵寿全;刘桂芝 | 申请（专利权）人： | 无锡麟力科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/219 | 分类号： | H02M7/219 |
| 代理公司： | 32260 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 朱晓林<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡市锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漏极 电连接 源极 驱动控制电路 交流输入端 短接 通断 交流电 源极均接地 整流桥电路 输出直流 整流电路 整流效率 小功率 压降 | ||
1.小功率片内整流桥电路，其特征在于：包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一驱动控制电路和第二驱动控制电路；
所述第一PMOS管的栅极和源极短接，所述第二PMOS管的栅极和源极短接，所述第一PMOS管的源极电连接所述第二PMOS管的源极，所述第一PMOS管的漏极电连接所述第一NMOS管的漏极，所述第二PMOS管的漏极电连接所述第二NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极均接地，所述第一驱动控制电路控制所述第一NMOS管的通断，所述第二驱动控制电路控制所述第二NMOS管的通断，所述第一NMOS管的漏极电连接第一交流输入端，所述第二NMOS管的漏极电连接第二交流输入端。
2.根据权利要求1所述的小功率片内整流桥电路，其特征在于：所述第一驱动控制电路包括电阻R1、第三NMOS管和第一稳压单元，所述第三NMOS管的源极和漏极并联电阻R1，所述第三NMOS管的漏极电连接所述第二交流输入端，所述第三NMOS管的源极分别电连接第一NMOS管的栅极和第一稳压单元，所述第三NMOS管的栅极和源极短接。
3.根据权利要求2所述的小功率片内整流桥电路，其特征在于：所述第一稳压单元是稳压二极管D1，所述第三NMOS管的源极通过稳压二极管D1接地。
4.根据权利要求2所述的小功率片内整流桥电路，其特征在于：所述第三NMOS管能替换为第三PMOS管，所述第三PMOS管的栅极和源极短接。
5.根据权利要求1所述的小功率片内整流桥电路，其特征在于：所述第二驱动控制电路包括电阻R2、第四NMOS管和第二稳压单元，所述第四NMOS管的源极和漏极并联电阻R2，所述第四NMOS管的漏极电连接所述第一交流输入端，所述第四NMOS管的源极分别电连接第二NMOS管的栅极和第二稳压单元，所述第四NMOS管的栅极和源极短接。
6.根据权利要求5所述的小功率片内整流桥电路，其特征在于：所述第二稳压单元是稳压二极管D2，所述第四NMOS管的源极通过稳压二极管D2接地。
7.根据权利要求5所述的小功率片内整流桥电路，其特征在于：所述第四NMOS管可以替换为第四PMOS管，所述第四PMOS管的栅极和源极短接。
8.根据权利要求1所述的小功率片内整流桥电路，其特征在于：在同一块晶圆衬底上能集成安装所述小功率片内整流桥电路和主芯片电路，所述小功率片内整流桥电路向所述主芯片电路提供工作电压。
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