[发明专利]小功率片内整流桥电路

说明书

本发明涉及整流电路领域,公开了小功率片内整流桥电路，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一驱动控制电路和第二驱动控制电路，第一PMOS管的栅极和源极短接，第二PMOS管的栅极和源极短接，第一PMOS管的源极电连接第二PMOS管的源极，第一PMOS管的漏极电连接第一NMOS管的漏极，第二PMOS管的漏极电连接第二NMOS管的漏极，第一NMOS管的源极与第二NMOS管的源极均接地，第一驱动控制电路控制第一NMOS管的通断，第二驱动控制电路控制第二NMOS管的通断，第一NMOS管的漏极电连接第一交流输入端，第二NMOS管的漏极电连接第二交流输入端。本发明中交流电分别经第一PMOS管或者第二PMOS管输出直流信号，从而降低压降，提高整流效率。

技术领域

本发明涉及整流电路领域，具体涉及小功率片内整流桥电路。

背景技术

传统的整流桥电路主要有四个二极管组成，利用二极管的单向导通特性将交流电整流为直流输出，但二极管在导通时存在导通压降，大约在0.6V，基于多个二极管构成的整流电路中存在很大的功率损失，而且也会使运行温度抬升。

开关MOSFET和有源整流桥控制芯片组合的整流电路利用开关管MOSFET较低的导通压降改善了二极管固有压降所带来的功率损失问题。但在这种架构存在分离器件使用较多，PCB布局复杂的缺陷，同时有源整流桥控制芯片的高复杂性带来较高的成本压力。

发明内容

鉴于背景技术的不足，本发明是提供了小功率片内整流桥电路，所要解决的技术问题是现有二极管整流桥电路由于二极管本身的导通压降在运行中存在很大的功率损失；开关MOSFET和有源整流桥控制芯片组合的整流电路成本高。

为解决以上技术问题，本发明提供了如下技术方案：小功率片内整流桥电路，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一驱动控制电路和第二驱动控制电路。

第一PMOS管的栅极和源极短接，第二PMOS管的栅极和源极短接，第一PMOS管的源极电连接第二PMOS管的源极，第一PMOS管的漏极电连接第一NMOS管的漏极，第二PMOS管的漏极电连接第二NMOS管的漏极，第一NMOS管的源极与第二NMOS管的源极均接地，第一驱动控制电路控制第一NMOS管的通断，第二驱动控制电路控制第二NMOS管的通断，第一NMOS管的漏极电连接第一交流输入端，第二NMOS管的漏极电连接第二交流输入端。

进一步，第一驱动控制电路包括电阻R1、第三NMOS管和第一稳压单元，第三NMOS管的源极和漏极并联电阻R1，第三NMOS管的漏极电连接第二交流输入端，第三NMOS管的源极分别电连接第一NMOS管的栅极和第一稳压单元，第三NMOS管的栅极和源极短接。

作为优选，第一稳压单元为稳压二极管D1，第三NMOS管的源极通过稳压二极管D1接地。实现第一NMOS管的栅源电压在器件的耐压可控范围之内。

其中，第三NMOS管能替换为第三PMOS管，第三PMOS管的栅极和源极短接。

进一步，第二驱动控制电路包括电阻R2、第四NMOS管和第二稳压单元，第四NMOS管的源极和漏极并联电阻R2，第四NMOS管的漏极电连接第一交流输入端，第四NMOS管的源极分别电连接第二NMOS管的栅极和第二稳压单元，第四NMOS管的栅极和源极短接。

作为优选，第二稳压单元是稳压二极管D2，第四NMOS管的源极通过稳压二极管D2接地。实现第二NMOS管的栅源电压在器件的耐压可控范围之内。

其中，第四NMOS管可以替换为第四PMOS管，第四PMOS管的栅极和源极短接。

进一步，在同一块晶圆衬底上能集成安装小功率片内整流桥电路和主芯片电路，小功率片内整流桥电路向主芯片电路提供工作电压，实现集成化，小型化生产。