[发明专利]一种黄曲霉毒素产毒基因nor-1的荧光传感器制备和检测方法

权利要求书

1.一种黄曲霉毒素产毒基因nor-1的荧光传感器的制备方法，其特征在于：荧光传感器为基于特异性识别黄曲霉毒素产毒基因nor-1的长臂发夹探针，在所述长臂发夹探针的两端分别带有NH₂和SH，NH₂修饰上核壳结构的CdTe/CdS量子点，SH修饰上金纳米粒子AuNPs，在没有目标物出现时，CdTe/CdS量子点和AuNPs空间距离靠近，发生荧光共振能量转移，从而导致CdTe/CdS量子点的荧光淬灭，当目标物nor-1出现时，nor-1与发夹探针特异性互补配对，使发夹探针伸直，拉大了CdTe/CdS量子点和AuNPs的距离，阻断了荧光共振能量转移，从而使CdTe/CdS量子点的荧光恢复，通过荧光恢复强度测定nor-1的浓度，采用荧光恢复机制构建的方法建立了一种荧光传感器；制备所述荧光传感器的步骤如下：

1）制备CdTe/CdS量子点溶液备用；

2）制备AuNPs备用；

3）长臂发夹探针的修饰：a、将步骤1制备的CdTe/CdS量子点溶液超声分散，加入1-(3-二甲氨基丙基)-3-乙基碳二亚胺盐酸盐（EDC）溶液，振荡均匀，加入N-羟基琥珀酰亚胺（NHS）溶液，振荡均匀，加入发夹探针储备液，在室温下反应，震荡过夜得到CdTe/CdS-发夹探针，随后使用乙醇洗涤，离心，最后将CdTe/CdS-发夹探针分散于Tris-HCl缓冲液中备用；b、移取适量制备的AuNPs加入a步骤中制备的CdTe/CdS-发夹探针分散液中，加入NaCl溶液调节钠离子浓度到一定值，常温下震荡反应24h，随后水洗离心得到CdTe/CdS-发夹探针-AuNPs。

2.根据权利要求1所述一种黄曲霉毒素产毒基因nor-1的荧光传感器的制备方法，其特征在于：步骤3的a步骤中CdTe/CdS量子点、EDC、NHS与发夹探针的体积比为50:2.2:2.2:1，EDC溶液的浓度为380 mM， NHS溶液的浓度为190 mM，发夹探针的浓度为100 μM。

3.根据权利要求2所述一种黄曲霉毒素产毒基因nor-1的荧光传感器的制备方法，其特征在于：步骤3的a步骤中Tris-HCl缓冲溶液与分散到Tris-HCl缓冲溶液中的CdTe/CdS量子点的体积比为52:42，Tris-HCl缓冲溶液浓度为10 mM，pH为7.4。

4.根据权利要求3所述一种黄曲霉毒素产毒基因nor-1的荧光传感器的制备方法，其特征在于：步骤3的b步骤中NaCl溶液的浓度为6M，调节钠离子浓度为2 M。

5.根据权利要求4所述一种黄曲霉毒素产毒基因nor-1的荧光传感器的制备方法，其特征在于：步骤3的b步骤中CdTe/CdS-发夹探针与AuNPs的体积比为30:1。

6.一种黄曲霉毒素产毒基因nor-1的荧光传感器的检测方法，其特征在于：将数组20μL不同浓度的产毒基因nor-1的标准液加入到制备好的0.1 mL CdTe/CdS-发夹探针-AuNPs溶液中，采用 pH 7.4的Tris-HCl缓冲液定容至2 mL，恒温震荡孵育，形成CdTe/CdS-发夹探针-AuNPs/nor-1的复合物，采用荧光分光光度计在380nm下测量溶液的荧光强度，并建立荧光恢复强度与nor-1的标准曲线。

7.根据权利要求6所述的一种黄曲霉毒素产毒基因nor-1的荧光传感器的检测方法，其特征在于：所述不同浓度的产毒基因nor-1的标准液为10组，每组的浓度分别为0.05，0.5，5，10，20，40，50，100，150，200 nM。

8.根据权利要求6所述的一种黄曲霉毒素产毒基因nor-1的荧光传感器的检测方法，其特征在于：所述孵育时间为40-60 min。