[发明专利]基于SIP封装的高集成度TR模块在审
| 申请号： | 201910990377.9 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110596647A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 胡斌 | 申请（专利权）人： | 成都锐芯盛通电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01S7/03 | 分类号： | G01S7/03 |
| 代理公司： | 51242 成都环泰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 李斌;黄青 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷基片 低频控制 控制芯片 功分网络层 封装模块 射频芯片 盖板 供电层 焊接层 控制输出信号 输出模拟信号 转换数字信号 高集成度 通道连接 介质层 顶层 板相 多层 两层 腔体 载板 封装 体内 输出 | ||
1.一种基于SIP封装的高集成度TR模块，包括TR模块本体，其特征在于，所述TR模块本体内设置有多个腔体，所述腔体内设置有SIP封装模块；
所述SIP封装模块由载板、HTCC陶瓷基片和盖板组成，所述HTCC陶瓷基片自顶层至底层依次由AGND层、幅相控制芯片层、DGND层、模拟供电层、AGND层、介质层、射频芯片及功分网络层、介质层、AGND层、低频控制层、AGND层组成，所述HTCC陶瓷基片顶部通过焊接层与所述盖板相连接，所述HTCC陶瓷基片底部通过焊接层与所述载板相连接，所述幅相控制芯片层、模拟供电层、射频芯片及功分网络层和低频控制层通过VIA通道与四层AGND层分别进行连接输出模拟信号并通过DGND层转换数字信号进行输出，所述幅相控制芯片层和低频控制层通过VIA通道连接，进而控制输出信号的幅度和相位。
2.根据权利要求1所述的一种基于SIP封装的高集成度TR模块，其特征在于：所述盖板为气密盖板，所述盖板上设置有多个隔腔。
3.根据权利要求1所述的一种基于SIP封装的高集成度TR模块，其特征在于：所述TR模块本体还包括电源控制板，所述电源控制板通过金丝焊接与所述模拟供电层相连接。
4.根据权利要求1所述的一种基于SIP封装的高集成度TR模块，其特征在于：所述载板长度为39mm-41mm，所述载板的宽度为35mm-37mm，所述载板的厚度为1.0mm-1.4mm。
5.根据权利要求4所述的一种基于SIP封装的高集成度TR模块，其特征在于：所述载板采用钼铜材料制成。
6.根据权利要求1所述的一种基于SIP封装的高集成度TR模块，其特征在于：所述腔体内铺设有胶体进行密封。
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