[发明专利]基于SIP封装的高集成度TR模块在审
申请号: | 201910990377.9 | 申请日: | 2019-10-17 |
公开(公告)号: | CN110596647A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 胡斌 | 申请(专利权)人: | 成都锐芯盛通电子科技有限公司 |
主分类号: | G01S7/03 | 分类号: | G01S7/03 |
代理公司: | 51242 成都环泰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 李斌;黄青 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷基片 低频控制 控制芯片 功分网络层 封装模块 射频芯片 盖板 供电层 焊接层 控制输出信号 输出模拟信号 转换数字信号 高集成度 通道连接 介质层 顶层 板相 多层 两层 腔体 载板 封装 体内 输出 | ||
本发明公开了一种基于SIP封装的高集成度TR模块,包括TR模块本体,TR模块本体内设置有多个腔体,腔体内设置有SIP封装模块;SIP封装模块由载板、HTCC陶瓷基片和盖板组成,HTCC陶瓷基片自顶层至底层依次由幅相控制芯片层、DGND层、模拟供电层、两层介质层、射频芯片及功分网络层、低频控制层和多层AGND层,HTCC陶瓷基片顶部通过焊接层与所述盖板相连接,HTCC陶瓷基片底部通过焊接层与所述载板相连接,幅相控制芯片层、模拟供电层、射频芯片及功分网络层和低频控制层通过VIA通道与四层AGND层分别进行连接输出模拟信号并通过DGND层转换数字信号进行输出,幅相控制芯片层和低频控制层通过VIA通道连接,进而控制输出信号的幅度和相位。
技术领域
本发明涉及雷达领域,尤其涉及一种基于SIP封装的高集成度TR模块。
背景技术
自20世纪30年代雷达问世以来,雷达技术在第二次世界大战中获得了高速发展,90年代以后,有源相控阵雷达已成为雷达发展中的主流。每部有源相控阵雷达中,包含多个TR模块,它既完成接收任务又完成发射任务和天线波束电扫描。每一个TR模块就相当于一个普通雷达的高频头,既包含有发射功率放大器,又有低噪声放大器、移相器及波束控制电路等功能电路。随着现代科技对有源相控阵雷达的要求越来越高,作为有源相控阵雷达核心部件之一的TR模块的性能也提出了更高的要求,TR模块要求集成度高、一致性好、体积小、重量轻,能适应不同的工作平台和环境;在有源相控阵系统中,TR模块是最为重要的元部件之一,其性能的优劣直接影响到相控阵天线的整体指标,而且TR模块在整个相控阵天线的成本中也占有非常大的比重,目前市场上出现的TR模块集成度较差,因此如何有效的提高TR模块的可生产性与可靠性并降低生产成本就成为一个迫切的需要。
发明内容
针对上述现有技术的缺陷,提供一种具有高集成度的SIP封装TR模块。
本发明的技术方案如下:
一种基于SIP封装的高集成度TR模块,包括TR模块本体,所述TR模块本体内设置有多个腔体,所述腔体内设置有SIP封装模块;
所述SIP封装模块由载板、HTCC陶瓷基片和盖板组成,所述HTCC陶瓷基片自顶层至底层依次由AGND层、幅相控制芯片层、DGND层、模拟供电层、AGND 层、介质层、射频芯片及功分网络层、介质层、AGND层、低频控制层、AGND层组成,所述HTCC陶瓷基片顶部通过焊接层与所述盖板相连接,所述HTCC陶瓷基片底部通过焊接层与所述载板相连接,所述幅相控制芯片层、模拟供电层、射频芯片及功分网络层和低频控制层通过VIA通道与四层AGND层分别进行连接输出模拟信号并通过DGND层转换数字信号进行输出,所述幅相控制芯片层和低频控制层通过VIA通道连接,进而控制输出信号的幅度和相位。
进一步地,所述盖板为气密盖板,所述盖板上设置有多个隔腔。
进一步地,所述TR模块本体还包括电源控制板,所述电源控制板通过金丝焊接与所述模拟供电层相连接。
优选的,所述载板长度为39mm-41mm,所述载板的宽度为35mm-37mm,所述载板的厚度为1.0mm-1.4mm。
优选的,所述载板采用钼铜材料制成。
进一步地,所述腔体内铺设有胶体进行密封。
本发明采用以上技术方案,与现有技术相比,具有如下技术效果:
1、HTCC陶瓷基片采用多层设计,将射频、供电、控制信号进行垂直互联,有效缩短了信号的传输路径。
2、设计盖板是为了将SIP封装进行气密封装以进一步提高产品可靠性,通过设置隔腔使气密与电磁屏蔽,提高可靠性与电磁兼容性
3、电源控制板提供TR模块内中所有部件所需要的电流的控制,并通过电源控制板调整电源功率的大小,电流和电压的稳定,提高TR模块的稳定性和安全性。
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