[发明专利]用于降低氮化镓晶体管中栅极电压振荡的可变电阻

权利要求书

1.一种半导体晶体管器件，包括：

GaN晶体管，所述GaN晶体管包括漏极、栅极和源极，所述GaN晶体管具有驱动电压，所述驱动电压施加在所述栅极和所述源极两端，并且被配置为在与所述GaN晶体管的导通状态相关联的导通电压和与所述GaN晶体管的关断状态相关联的关断电压之间切换；和

可变栅极-源极电阻器，所述可变栅极-源极电阻器连接在所述栅极和所述源极之间并具有可变电阻，所述可变电阻响应于所述驱动电压当在所述GaN晶体管的所述导通状态和所述关断状态之间切换时的变化而改变。

2.根据权利要求1所述的半导体晶体管器件，其中，所述可变电阻在所述切换的切换频率范围内随所述驱动电压的幅度直接改变。

3.根据权利要求1所述的半导体晶体管器件，其中，所述可变电阻响应于所述驱动电压的频率的增加而降低。

4.根据权利要求1所述的半导体晶体管器件，其中，所述可变栅极-源极电阻器包括电阻介电区，所述电阻介电区的长度短于阈值长度，以使得所述可变栅极-源极电阻器的所述可变电阻随所述GaN晶体管的所述驱动电压而直接改变，并且随所述驱动电压的驱动频率而间接改变。

5.根据权利要求1所述的半导体晶体管器件，还包括连接在所述GaN晶体管的所述栅极处的栅极电阻器，其中，所述栅极电阻器的电阻值随所述驱动电压的驱动频率而直接改变。

6.根据权利要求1所述的半导体晶体管器件，其中，所述驱动电压响应于在所述导通状态和所述关断状态之间的转换而振荡，电压振荡具有高于所述驱动电压的切换频率的谐振频率，并且所述可变栅极-源极电阻器被配置为相对于所述GaN晶体管的阈值电压保持所述电压振荡，以防止在所述导通状态期间关断所述GaN晶体管，或者在所述关断状态期间接通所述GaN晶体管。

7.一种半导体晶体管器件，包括：

GaN晶体管，所述GaN晶体管包括漏极、栅极和源极；和

可变栅极-源极电阻器，所述可变栅极-源极电阻器连接在所述栅极和所述源极之间，所述可变栅极-源极电阻器包括电阻介电区，所述电阻介电区的长度短于阈值长度，以使得所述可变栅极-源极电阻器的电阻值随所述GaN晶体管的驱动电压而直接改变，并且随所述驱动电压的驱动频率而间接改变。

8.根据权利要求7所述的半导体晶体管器件，其中，所述GaN晶体管具有驱动电压，所述驱动电压施加在所述栅极和所述源极两端，并且在与所述GaN晶体管的导通状态相关联的导通电压和与所述GaN晶体管的关断状态相关联的关断电压之间切换。

9.根据权利要求7所述的半导体晶体管器件，还包括连接在所述GaN晶体管的所述栅极处的栅极电阻器。

10.一种半导体晶体管器件，包括：

GaN晶体管，所述GaN晶体管包括漏极、栅极和源极，所述GaN晶体管具有驱动电压，所述驱动电压施加在所述栅极和所述源极两端，并且被配置为以切换频率在与所述GaN晶体管的导通状态相关联的导通电压和与所述GaN晶体管的关断状态相关联的关断电压之间切换，所述驱动电压响应于在所述导通状态和所述关断状态之间的转换而振荡，驱动电压振荡具有高于所述切换频率的谐振频率；和

可变栅极-源极电阻器，所述可变栅极-源极电阻器连接在所述栅极和所述源极之间，所述可变栅极-源极电阻器被配置为提供低通滤波器，所述低通滤波器在所述谐振频率下对所述电压振荡进行滤波。