[发明专利]基板处理方法及基板处理装置有效
申请号: | 201910991490.9 | 申请日: | 2019-10-18 |
公开(公告)号: | CN111146074B | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 吴承勋;柳镇泽;郑富荣;方炳善;金永珍;崔英骏;禹钟贤 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 玉昌峰;金惠淑 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
1.一种基板处理方法,多个回收杯布置成多级,向在所述回收杯的内侧布置的旋转卡盘上的基板喷射处理液来进行液处理工艺,其中,
在所述回收杯中任一个回收杯发生高度改变的过渡时间区,连动于所述回收杯的高度改变而以临时减速的方式调节支承基板的旋转卡盘的旋转速度,以减小所述处理液的飞散距离,
在所述过渡状态中,改变回收杯的级数,或改变喷射的处理液的种类,或中断处理液的供给,
所述液处理工艺包括:
第一时间区,利用药液去除残留在基板上的异物,并使旋转卡盘以第一速度旋转;
第二时间区,利用冲洗液清洗涂布在基板的药液,并使旋转卡盘以第二速度旋转;以及
第三时间区,干燥冲洗处理后的基板,并使旋转卡盘以第三速度旋转,在所述第一时间区与第二时间区之间还包括旋转卡盘以比所述第一速度慢的第一调节速度旋转的第一过渡区,在所述第二时间区与第三时间区之间还包括旋转卡盘以比所述第二速度慢的第二调节速度旋转的第二过渡区。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
在所述第二时间区期间,使旋转卡盘的旋转速度逐渐增加。
3.一种基板处理装置,包括:
支承单元,具备支承基板并使基板旋转的旋转卡盘;
喷射单元,向所述基板提供处理液;
回收单元,包括在所述旋转卡盘的外侧以多级设置有多个的回收杯,并回收处理所述基板后的一种以上的处理液;以及
控制单元,控制所述支承单元、喷射单元、回收单元,
所述控制单元进行以下控制:
使所述喷射单元向以设定速度旋转的所述旋转卡盘上的基板喷射处理液,之后在所述旋转卡盘与所述回收单元的相对高度改变时,产生过渡状态,并使所述旋转卡盘以比所述设定速度慢的调节速度旋转,以减小所述处理液的飞散距离,
在所述过渡状态中,改变回收杯的级数,或改变喷射的处理液的种类,或中断处理液的供给,
所述基板处理装置进行的液处理工艺包括:
第一时间区,利用药液去除残留在基板上的异物,并使旋转卡盘以第一速度旋转;
第二时间区,利用冲洗液清洗涂布在基板的药液,并使旋转卡盘以第二速度旋转;以及
第三时间区,干燥冲洗处理后的基板,并使旋转卡盘以第三速度旋转,
在所述第一时间区与第二时间区之间还包括旋转卡盘以比所述第一速度慢的第一调节速度旋转的第一过渡区,在所述第二时间区与第三时间区之间还包括旋转卡盘以比所述第二速度慢的第二调节速度旋转的第二过渡区。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
所述旋转卡盘与所述回收单元的相对高度改变的时候是多级的所述回收杯中任一个回收杯下降的时候。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
所述回收杯包括回收第一处理液的第一回收杯、回收第二处理液的第二回收杯、回收第三处理液的第三回收杯。
6.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
在所述回收杯的上部设置有向旋转卡盘方向向上倾斜的倾斜部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于细美事有限公司,未经细美事有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910991490.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种可穿戴设备数据的备份和迁移方法及管理设备
- 下一篇:车辆用窗帘气囊装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造