[发明专利]基板处理方法及基板处理装置

说明书

本发明的实施例提供一种基板处理方法及基板处理装置，多个回收杯布置成多级，向在所述回收杯的内侧布置的旋转卡盘上的基板喷射处理液来进行液处理工艺，其中，在所述回收杯中任一个回收杯发生高度改变的过渡时间区，连动于所述回收杯的高度改变而调节支承基板的旋转卡盘的旋转速度。

技术领域

本发明涉及能够防止药液回收杯的污染的基板处理方法及基板处理装置。

背景技术

一般而言，半导体器件通过在基板上以薄膜形态蒸镀各种物质并对其进行图案化来制造。为此，需要光刻、薄膜形成工艺等诸多步骤的彼此不同基板处理工艺。在各个处理工艺中，可以将基板安装于向相应工艺提供最佳条件的腔室来进行处理。

图1是展示普通基板处理系统的俯视图。

参考图1，基板处理系统包括索引组件10及工艺组件20。

在此，基板是将硅晶圆、玻璃基板、有机基板等都包括的概括性概念。

索引组件10从外部传送接收基板并向工艺组件20传送基板。索引组件10包括装载腔室11和移送架12。

在装载腔室11放置用于容纳基板的容器11a。容器11a可以使用前开式晶圆传送盒(FOUP：Front Opening Unified Pod)。容器11a可以通过空中运输系统(OHT：OverheadTransfer)从外部向装载腔室11运进或从装载腔室11向外部运出。

移送架12在放置于装载腔室11的容器11a与工艺组件20之间传送基板。移送架12包括索引机器人12a和索引导轨12b。索引机器人12a可以在索引导轨12b上移动并传送基板。例如，索引机器人12a可以将基板从容器11a取出而放置于后述的缓冲槽。

工艺组件20包括缓冲腔室21、移送腔室22、工艺腔室23。

缓冲腔室21提供在索引组件10与工艺组件20之间传送的基板临时停留的空间。在缓冲腔室21可以提供有放置基板的缓冲槽21a。缓冲槽21a可以提供有多个，由此基板也可以向缓冲腔室21传入多个。

移送腔室22在布置于其周边的缓冲腔室21与工艺腔室23之间传送基板。移送腔室22包括移送机器人22a和移送导轨22b。移送机器人22a可以在移送导轨22b上移动并传送基板。即，移送腔室22的移送机器人22a可以取出放置于缓冲槽21a的基板并将其向工艺腔室23传送。

工艺腔室23可以提供有一个或多个。工艺腔室23在一侧具备用于供基板出入的出入口，出入口可以通过门开闭。工艺腔室可以布置成提供有出入口的一侧面朝向移送腔室22。

工艺腔室23对基板执行预定的工艺。例如，工艺腔室23可以执行光致抗蚀剂涂布、显影、清洗、热处理等工艺。

另一方面，残留在基板表面的颗粒(Particle)、有机污染物、金属污染物等异物对半导体器件的特性和生产收率带来较多影响。为此，去除附着在基板表面的各种异物的清洗处理在半导体制造工艺中非常重要，在制造半导体的各单元工艺的前后步骤中实施将基板清洗处理的工艺。

一般而言，基板的清洗处理包括：利用药液去除残留在基板上的金属异物、有机物质或颗粒等的药液处理工艺；利用去离子水去除残留在基板上的药液的冲洗工艺；以及利用干燥处理液及/或干燥气体等干燥基板的干燥工艺。

清洗处理通过向基板供给处理液来执行。在基板的外侧，上方开放的多个回收杯提供为构成多级，各个回收杯会对应于药液处理工艺、冲洗工艺、干燥工艺时而升降。

在进行清洗工艺时，通常基板会旋转，向基板提供的处理液在基板旋转时的离心力下向回收杯飞散，在之前工艺中喷出的处理液可能导致与其处理液对应的回收杯以外的回收杯被污染。

现有技术文献

专利文献