[发明专利]用于结合基体的方法及装置在审
申请号: | 201910992358.X | 申请日: | 2014-02-03 |
公开(公告)号: | CN110707027A | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | F.P.林德纳 | 申请(专利权)人: | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘子豪;李建新 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热面 第一表面 加热设备 背离 第二表面 对准 | ||
1.用于保持具有基体面的基体的卡盘,所述卡盘包括:
用于保持所述基体的保持面,所述保持面通过多个突出部形成。
2.根据权利要求1所述的卡盘,其中,所述保持面的面积小于所述基体的基体面的面积的90%。
3.根据权利要求1或2所述的卡盘,其中,流动通道位于所述多个突出部之间,用于对流地加热所述基体的气体流动通过所述流动通道。
4.根据权利要求3所述的卡盘,其中,所述流动通道相对于所述保持面具有小于1mm的深度。
5.用于结合基体的压板,所述压板包括:用于接触基体的基体面的压力施加面,以用于施加压力至所述基体面,所述压力施加面通过多个突出部形成。
6.根据权利要求5所述的压板,其中,所述压力施加面的面积小于所述基体的基体面的面积的90%。
7.根据权利要求5或6所述的压板,其中,流动通道位于所述多个突出部之间,用于对流地加热所述基体的气体流动通过所述流动通道。
8.根据权利要求7所述的压板,其中,所述流动通道相对于所述压力施加面具有小于1mm的深度。
9.用于将第一基体结合至第二基体的结合装置,所述结合装置包括:
第一接触部件,其包括用于接触所述第一基体的基体面的第一面;以及
第二接触部件,其包括用于接触所述第二基体的基体面的第二面,
其中,所述第一面和所述第二面中的至少一个通过多个突出部形成。
10.根据权利要求9所述的结合装置,其中,所述第一接触部件和所述第二接触部件是用于相应地保持和/或施加压力至所述第一基体和所述第二基体的结合卡盘。
11.根据权利要求9所述的结合装置,其中,所述第一接触部件和所述第二接触部件是用于相应地施加压力至所述第一基体和所述第二基体的压板。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的结合装置,其中,所述第一面通过所述多个突出部形成,所述第一面的面积小于所述第一基体的基体面的面积的90%。
13.根据权利要求9至11中任一项所述的结合装置,其中,所述第二面通过所述多个突出部形成,所述第二面的面积小于所述第二基体的基体面的面积的90%。
14.根据权利要求12所述的结合装置,其中,流动通道位于所述多个突出部之间。
15.根据权利要求14所述的结合装置,其中,所述流动通道相对于所述第一面和/或所述第二面具有小于1mm的深度。
16.根据权利要求14或15所述的结合装置,其中,所述结合装置进一步包括用于将气体引入到所述流动通道中的气体供应件,以用于所提供的对流加热。
17.根据权利要求9至11中任一项所述的结合装置,其中,所述结合装置进一步包括密封环,所述密封环限制形成所述第一面和所述第二面中的至少一个的多个突出部的全部周界。
18.根据权利要求9至11中任一项所述的结合装置,其中,所述结合装置包括至少50个突出部。
19.根据权利要求9所述的结合装置,其中,所述多个突出部相同分布。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造