[发明专利]用于结合基体的方法及装置在审
申请号: | 201910992358.X | 申请日: | 2014-02-03 |
公开(公告)号: | CN110707027A | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | F.P.林德纳 | 申请(专利权)人: | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘子豪;李建新 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热面 第一表面 加热设备 背离 第二表面 对准 | ||
本发明涉及用于将第一基体(35)的第一接触面(35k)与第二基体(36)的第二接触面(36k)结合的方法和相对应的装置,具有下列步骤、尤其下列流程:将由所述第一基体(35)及所述第二基体(36)形成的、在接触面(35k、36k)处对准的基体堆(14)布置在第一加热设备(30)的第一加热面(15)与第二加热设备(26)的第二加热面(19)之间,其中,e)所述第一加热面(15)布置成面向所述第一基体(35)的与所述第一接触面(35k)背离的第一表面(35o),f)所述第二加热面(19)布置成面向所述第二基体(36)的与所述第二接触面(36k)背离的第二表面(36o),g)在所述第一表面(35o)与所述第一加热面(15)之间存在>0µm的间距A。
本申请是申请日为2014年2月3日、题为“用于结合基体的方法及装置”的中国专利申请201480074793.X的分案申请。
技术领域
本发明涉及根据专利权利要求1的用于将第一基体的第一接触面与第二基体的第二接触面结合的方法及根据专利权利要求9的相对应的装置。
背景技术
已知对准设备,在其中所述基体相对彼此的对准(英语:Alignment)在正常的大气下发生。相对彼此对准的基体还在对准设备中临时与彼此固定且随后被传送至高真空结合设备且在该处在真空下持久结合,其中对于结合而言所需的温度由热源产生。
热源连同所属于其的压板在内位于待结合的基体上方或下方。上部的热源与上部的压板实施成能够运动的。在高真空结合设备的底部处的样本保持器(Probenhalter)及下部的热源实施成静止的。
在对准设备中,两个相对彼此待对准的基体固定在样本保持器(英语:bondchuck)上。在此,在多数情况下使用机械的夹具进行固定。在样本保持器上容纳的且相对彼此对准的基体接着输送至高真空结合设备。样本保持器放下在下部的热源上。
由于变得越来越小的结构,使得基体的由于热的作用而发生的变形对结合结果具有负面影响。
发明内容
因此,本发明的目的是给出如下方法,利用所述方法来改善结合结果。
利用专利权利要求1及9的特征达成此目的。在从属权利要求中给出本发明的有利的改进方案。由在说明书、权利要求书和/或附图中给出的特征中的至少两个的全部的组合也落到本发明的范畴中。在给出的值域中,应该还将处在提及的边界内的值适用公开为边界值且能够以任意的组合进行要求。
本发明的基本构想为,为了尤其持久的结合,在结合设备中缓和地且均匀地从基体的两个待加热的表面(背离接触面的侧边)来加热在基体的接触面处对准的基体堆的基体,以便最小化或完全避免两个基体的尤其不同的变形。
本发明尤其描述模块化的装置及过程链,其使得实现了用于对准及用于将两个或更多基体临时连接成基体堆的对准设备。在此,将在此对准的基体在考虑经由高真空传送路段的特别敏感的交互(Umgangs)的情况下(也就是说在真空不中断的情况下)传送至结合设备。在所述结合设备中,将基体经久地且不可分离地(即持久地)接合到一起(结合),而不使基体遭受过度的或不同的膨胀及扭曲。
优选地如下实施对准设备,即使得为了在传送至结合单元之前将基体堆固定在对准单元中,设置有不污染基体堆且将基体堆临时保持在一起的连接元件。在结合之后能够无残余地移除连接元件。
基体堆在真空传送路段内在本发明的一种实施方式中为了改善结合结果而利用用于减少表面气体和/或湿气的一个或多个设备来加工。
特别地,本发明涉及仪器或装置及方法,利用其来对称地加热或能够对称地加热基体堆。基体堆的基体的接触的接触面尤其用作对称平面。换言之,从两个侧边等热地加热基体堆。
本发明因此尤其涉及用于加热及结合基体堆的方法及装置。优选地对称地、尤其通过红外线放射进行加热。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造