[发明专利]用于消除遮蔽框架的气体限制器组件

说明书

本公开涉及一种气体限制器组件，所述气体限制器组件被设计成通过限制气流并改变在基板边缘区域附近的局部气流分布来降低不均匀的沉积速率。所述气体限制器组件的材料、尺寸、形状和其他特征可基于处理要求以及相关联的沉积速率而变化。在一个实施方式中，一种用于处理腔室的气体限制器组件包括气体限制器，所述气体限制器被配置成减少气流并且补偿基板边缘区域上的较高沉积速率。所述气体限制器组件还包括覆盖件，所述覆盖件设置在所述气体限制器下方。所述覆盖件被配置成防止基板支撑件暴露于等离子体下。

本申请是申请日为2015年1月20日、申请号为201580006247.7、名称为“用于消除遮蔽框架的气体限制器组”的发明专利申请的分案申请。

本公开的背景

技术领域

本公开的实施方式总体上涉及一种用于使分布均匀性提高的气体限制器组件以及用于在处理腔室中分布气体的方法。

背景技术

液晶显示器或平板通常使用于有源矩阵显示器，诸如计算机和电视机监视器。一般采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在基板(诸如用于平板显示器或半导体晶片的透光基板)上沉积薄膜。一般通过将前驱气体或气体混合物(例如，硅烷(SiH₄)和氮气(N₂))引入容纳有基板的真空腔室中实现PECVD。前驱气体或气体混合物通常被向下引导以通过位于腔室顶部附近的分布板。通过从耦接到腔室的一或多个RF源将射频(RF)功率施加至腔室，腔室中的前驱气体或气体混合物被激发(例如激励)成等离子体。受激励的气体或气体混合物发生反应，以便在定位在温度受控的基板支撑件上的基板的表面上形成材料(例如，氮化硅(SiN_x))的层。氮化硅层形成用于下一代薄膜晶体管(TFT)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中的低温多晶硅(LTPS)膜堆叠的钝化层、栅极绝缘体、缓冲层和/或蚀刻停止层。TFT和AMOLED是用于形成平板显示器的两种类型器件。

通过PECVD技术处理的平板通常较大，常常超过4平方米。由于在平板显示器工业中，基板尺寸持续增长，对大面积PECVD的膜厚度和膜均匀性控制成为问题。遮蔽框架通常在PECVD中用于保护基板支撑件免受等离子体影响。然而，由于遮蔽框架覆盖基板最外边缘，因此这些遮蔽框架：(1)使边缘排除(edge exclusion，EE)增加3mm至5mm；以及(2)不利影响基板周边/边缘区域附近的膜沉积。一种使边缘均匀性改进的方式是消除遮蔽框架。然而，消除遮蔽框架还会使基板支撑表面的周边区域暴露于等离子体下，这可能会由于基板与未覆盖的基板支撑表面之间的偏移而在基板边缘区域处导致较高沉积速率。此外，如果基板支撑表面暴露于等离子体下，就会导致等离子体起弧以及不均匀的沉积。

因此，需要改进在基板中的沉积速率和膜分布均匀性。

发明内容

本公开大体上涉及一种气体限制器组件，所述气体限制器组件被设计成通过限制气流并改变在基板边缘区域附近的局部气流分布来减少在基板边缘区域上的较高沉积速率。所述气体限制器组件的材料、尺寸、形状和其他特征可基于处理要求以及相关联的沉积速率而变化。

在一个实施方式中，一种用于处理腔室的气体限制器组件包括气体限制器，所述气体限制器被配置成减少基板边缘区域上的气流并且补偿基板边缘区域上的较高沉积速率。所述气体限制器组件还包括覆盖件，所述覆盖件设置在所述气体限制器下方。所述覆盖件被配置成防止基板支撑件暴露于等离子体下。

附图说明

因此，为了能够详细理解本公开的上述特征结构所用方式，上文所简要概述的本公开的更具体的描述可以参考实施方式进行，实施方式中的一些在附图中示出。然而，应当注意，附图仅仅示出本公开的典型实施方式，并且因此不应视为限制本公开的范围，因为本公开可允许其他等效实施方式。

图1是具有气体限制器组件的PECVD腔室的一个实施方式的示意性截面图。