[发明专利]一种高转换效率的Si/ZnO异质结太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种高转换效率的Si/ZnO异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：依次包括以下步骤：

第一步：清洗硅片：取硅片，进行清洗；

第二步：制备中间层薄膜：在清洗好的硅片的一侧，采用磁控溅射技术，使用本征氧化锌制备中间层薄膜；

第三步：制备AZO薄膜：在中间层薄膜远离硅片的一侧，使用Al2O3掺杂ZnO靶材，采用磁控溅射技术，沉积AZO薄膜；

第四步：制备背电极：在硅片远离中间层薄膜的一侧，采用磁控溅射技术，制备背电极；

第五步：安装掩模板：在AZO薄膜远离中间层薄膜的一侧，安装掩模板；

第六步：制备前电极：采用磁控溅射技术，基于掩模板在AZO薄膜表面上制备前电极；

第七步：移除掩模板：待前电极制备完成之后，将掩模板移除，得到异质结太阳电池半成品；

第八步：还原退火：将太阳电池半成品进行还原退火形成异质结太阳电池；

其中，在第二步制备中间层薄膜后，Si表面与ZnO薄膜就会形成接触密集区I和空白区II，接触密集区I用于防止Si的表面完全被氧化，空白区II内氧浓度很高，经过氧化退火之后，空白区II的Si表面可以被充分氧化，II区空白区内被硅氧化合物填充。

2.如权利要求1所述的高转换效率的Si/ZnO异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述前电极是“山”字形状。

3.如权利要求1所述的高转换效率的Si/ZnO异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：在进行制备AZO薄膜之前将制备好的中间层薄膜进行氧化退火。

4.如权利要求3所述的高转换效率的Si/ZnO异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：对中间层薄膜进行氧化退火时，退火温度是300～600℃，保温时间20～60min，然后随炉冷却。

5.如权利要求4所述的高转换效率的Si/ZnO异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：对中间层薄膜进行氧化退火时，退火温度是500℃。

6.如权利要求1所述的高转换效率的Si/ZnO异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：在第七步还原退火中，退火温度是300-600℃，保温时间20-60min，然后随炉冷却。

7.如权利要求6所述的高转换效率的Si/ZnO异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：在第七步还原退火中，退火温度是500℃。

8.如权利要求1所述的高转换效率的Si/ZnO异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：在各步骤采用磁控溅射技术时，衬底温度是50-300℃。

9.如权利要求1所述的高转换效率的Si/ZnO异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述硅片厚度是180-300μm，所述中间层薄膜厚度为10～200nm，所述AZO薄膜厚度是150～400nm，所述背电极厚度是50-300nm，所述前电极厚度是40-200nm。

10.如权利要求1所述的高转换效率的Si/ZnO异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：在第三步制备AZO薄膜时采用的ZnO的质量占ZnO和Al2O3质量总和的98％。