[发明专利]扫描晶片的系统及方法

说明书

本发明一些实施例提供一种用于扫描晶片的方法及系统。所述系统捕捉晶片的缺陷图像，且基于参考图像产生模型产生对应于第一缺陷图像的参考图像。所述系统基于所述缺陷图像及所述参考图像产生缺陷标记图像。

技术领域

本发明实施例涉及扫描晶片的系统及方法。

背景技术

扫描电子显微镜(SEM)被广泛用于分析半导体晶片的缺陷。此外，对应地开发检视SEM(RSEM)以更精确地显露半导体晶片的缺陷。由于经由RSEM的图像捕捉可是耗时的且确定晶片上的缺陷的类型的准确度可是不精确的，所以每小时晶片(WPH)及自动缺陷分类(ADC)的准确度是有限的。

发明内容

本发明的一实施例涉及一种方法，其包括：提供晶片；捕捉所述晶片的缺陷图像；基于参考图像产生模型产生对应于所述缺陷图像的第一参考图像；及基于所述缺陷图像及所述第一参考图像产生第一缺陷标记图像。

本发明的一实施例涉及一种方法，其包括：获得晶片的图像，其中所述图像包括所述晶片的缺陷；产生对应于所述图像的第一设计图案图像；将参考图像产生模型应用至所述第一设计图案图像以产生第一参考图像；及通过比较所述图像与所述第一参考图像而导出第一缺陷标记图像。

本发明的一实施例涉及一种系统，其包括：存储单元，其经配置以存储参考图像产生模型；图像捕捉装置，其经配置以捕捉晶片的图像；及处理器，其经电连接至所述存储单元及所述图像捕捉装置且经配置以：将所述晶片的所述图像输入至所述参考图像产生模型以输出参考图像且处理所述图像及所述参考图像以导出缺陷标记图像。

附图说明

当结合附图阅读时从以下详细描述最佳理解本揭露的方面。应注意，根据业界中的标准实践，各种构件未按比例绘制。事实上，为了清楚论述起见，可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1A是根据本揭露的一些实施例的系统的框图。

图1B是绘示根据本揭露的一些实施例的图像的示意图。

图2A是根据本揭露的一些实施例的另一系统的框图。

图2B是绘示根据本揭露的一些实施例的图像的示意图。

图3A是根据本揭露的一些实施例的另一系统的框图。

图3B是绘示根据本揭露的一些实施例的图像的示意图。

图4是根据本揭露的一些实施例的流程图。

图5是根据本揭露的一些实施例的流程图。

图6A至6C是根据本揭露的一些实施例的流程图。

图7A至7D是根据本揭露的一些实施例的流程图。

具体实施方式

下列揭露内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且不旨在限制。例如，在下列描述中的一第一构件形成于一第二构件上方或上可包含其中所述第一构件及所述第二构件经形成直接接触的实施例，且也可包含其中额外构件可形成在所述第一构件与所述第二构件之间，使得所述第一构件及所述第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复出于简化及清楚的目的，且本身不指示所论述的各项实施例及/或配置之间的关系。

下文详细论述本揭露的实施例。然而，应了解，本揭露提供可以广泛多种特定背景内容体现的许多适用发明概念。所论述的特定实施例仅是阐释性的且不限制本揭露的范围。