[发明专利]一种光罩和彩膜基板及其制备方法、显示面板有效

专利信息
申请号: 201910994885.4 申请日: 2019-10-18
公开(公告)号: CN110824758B 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 朱清永 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1343;C23C14/04;C23C14/24
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 李汉亮
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 彩膜基板 及其 制备 方法 显示 面板
【说明书】:

发明提供一种光罩和彩膜基板及其制备方法、显示面板,彩膜基板包括封装区、显示区,所述显示区包括发光区和遮光区,所述封装区包括位于边侧的边侧区以及位于封装区中部的过渡区;所述彩膜基板包括基底;公共电极,设于所述基底上,且从所述显示区延伸至所述封装区,且在所述边侧区形成缺口;黑色矩阵,设置所述遮光区和所述封装区的所述公共电极上。将公共电极设置于黑色矩阵下方,按照曝光需求,将彩膜基板分为发光区和遮光区、封装区,通过半透黑色矩阵光罩,实现黑色矩阵和公共电极同时曝光显影,不增加曝光制程情况下,实现公共电极精细分区,以实现不同导电功能,节约成本。

技术领域

本发明涉及显示面板技术领域,特别涉及一种光罩和彩膜基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

在液晶显示面板中,彩膜基板(Color Filter,CF)一侧的导电薄膜(ITO)作为公共电极,一般为整面镀膜。随着侧面粘合(Side bonding)、芯片上引线封装(lead on Chip,LOC)等技术的发展,对彩膜基板一侧的公共电极需要精确的分区,一般进行镭射分区:在LOC技术中,需要镭射将CF-ITO分成高电位和低电位。

在Side bonding技术,请参阅图1,图1所示为现有的显示面板的结构示意图,显示面板200包括显示区201和封装区202,封装区202包括框胶区1021和边侧区1022,显示区201包括阵列基板210、液晶层230、公共电极240、彩膜基板220,封装区202包括阵列基板210、框胶250、公共电极240、彩膜基板220,在边侧区1022中,还包括印刷电膜270和焊接引线260,需要镭射去除焊接引线(bonding lead)位置上的公共电极240,避免侧面印刷导电膜270将公共电极240与焊接引线260导通。

公共电极镭射制程一方面存在镭射残留,导致短路和烧伤风险;另外随着产品精细化,需要镭射线路更多,镭射耗时久,增加成本。

因此,确有必要来开发一种新型的彩膜基板,以克服现有技术的缺陷。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种彩膜基板,其能够解决现有技术中导电薄膜层镭射制程存在镭射残留,导致短路和烧伤风险的问题。

为实现上述目的,本发明提供一种光罩,用于蒸镀彩膜基板的黑色矩阵和公共电极,所述光罩包括半透明区、遮挡区和全透明区。

进一步的,在其他实施方式中,其中所述半透明区、遮挡区和全透明区相互间隔设置。

为实现上述目的,本发明还提供一种彩膜基板,包括封装区、显示区,所述显示区包括发光区和遮光区,所述封装区包括位于边侧的边侧区以及位于封装区中部的过渡区;所述彩膜基板包括基底;公共电极,设于所述基底上,且从所述显示区延伸至所述封装区,且在所述边侧区形成缺口;黑色矩阵,设置所述遮光区和所述封装区的所述公共电极上。

进一步的,在其他实施方式中,其中所述黑色矩阵在所述过渡区具有孔槽,所述公共电极裸露于所述孔槽中。

进一步的,在其他实施方式中,其中所述公共电极的材料采用氧化铟锡。

进一步的,在其他实施方式中,其中所述基板的材料采用玻璃。

本发明的另一目的是提供一种制备方法,用以制备本发明涉及的所述彩膜基板,包括以下步骤:S1:提供一基底;S2:沉积电极材料于所述基底上形成从所述显示区延伸至所述封装区的公共电极;S3:涂布黑色光阻材料于所述公共电极上形成覆盖所述公共电极的黑色矩阵;S4:提供一光罩,包括半透明区、遮挡区、全透明区,所述全透明区对应所述边侧区,所述遮挡区对应遮光区和所述封装区中除所述过渡区和所述边侧区之外的区域;所述半透明区对应所述发光区和过渡区;S5:将所述光罩至于所述黑色矩阵上方,并向所述光罩提供光源,曝光显影所述黑色矩阵,以去除所述边侧区的所有的黑色矩阵以及所述发光区和过渡区中一定厚度的黑色矩阵;S6:去除所述边侧区的所述公共电极,形成缺口;S7:去除所述发光区和过渡区中的剩余的黑色矩阵。

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