[发明专利]粘合膜、半导体设备及半导体封装

权利要求书

1.一种粘合膜，包括：

多孔金属层，在其中具有多个孔；

第一粘合层，在所述多孔金属层的一侧上；

粘合物质，至少部分地填充所述多孔金属层的所述多个孔；以及

多个第一导热构件，分布在所述第一粘合层中。

2.根据权利要求1所述的粘合膜，其中，所述多孔金属层的孔隙率为约30％至小于100％。

3.根据权利要求1所述的粘合膜，其中：

所述多个孔中的至少一个在所述多孔金属层的表面处开口，并且

填充所述多个孔中的至少一个的所述粘合物质暴露在所述多孔金属层的表面处。

4.根据权利要求1所述的粘合膜，其中：

所述粘合物质和所述第一粘合层在所述多孔金属层与所述第一粘合层之间的界面处彼此接触，并且

所述粘合物质和所述第一粘合层提供为包括相同材料的单体形式。

5.根据权利要求1所述的粘合膜，其中，所述孔的长轴具有约5μm至约3000μm的长度。

6.根据权利要求1所述的粘合膜，其中，所述多孔金属层包括铜、镍、铁或银中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的粘合膜，其中，所述第一导热构件具有珠形状、线形状或棒形状中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的粘合膜，其中，所述第一导热构件占所述第一粘合层的总体积的约1％至约50％的体积分率。

9.根据权利要求1所述的粘合膜，其中，所述第一导热构件中的一些分布在所述粘合物质中。

10.根据权利要求1所述的粘合膜，其中，所述第一导热构件包括非晶氧化硅、晶体氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锌、碳化硅、氮化铝、氧化铍、氮化硼或钻石中的一种或多种。

11.根据权利要求1所述的粘合膜，还包括：在所述多孔金属层的另一侧上的第二粘合层，所述另一侧与所述第一粘合层相对。

12.根据权利要求11所述的粘合膜，其中，所述第二粘合层包括分布在所述第二粘合层中的多个第二导热构件。

13.根据权利要求1所述的粘合膜，还包括以下中的一项或多项：

第一钝化层，覆盖所述多孔金属层；或者

第二钝化层，覆盖所述第一粘合层。

14.一种半导体设备，包括：

衬底；

放热器件，在所述衬底上；以及

粘合膜，在所述衬底与所述放热器件之间，

其中，所述粘合膜包括：

多孔金属层，在其中具有多个孔；

第一粘合层，在所述多孔金属层的一侧上；以及

粘合物质，至少部分地填充所述多孔金属层的所述多个孔。

15.根据权利要求14所述的半导体设备，其中，所述放热器件的一侧与所述粘合膜接触，所述放热器件的所述一侧是所述放热器件的无源表面。

16.根据权利要求14所述的半导体设备，其中：

所述多孔金属层与所述衬底接触，并且

所述第一粘合层与所述放热器件接触。

17.根据权利要求14所述的半导体设备，还包括：在所述衬底与所述放热器件之间的半导体器件，

其中，所述粘合膜设置在所述放热器件与所述半导体器件之间，并将所述放热器件附着到所述半导体器件。