[发明专利]一种Co修饰的Ni在审
申请号: | 201910997835.1 | 申请日: | 2019-10-21 |
公开(公告)号: | CN110681408A | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 彭正宽 | 申请(专利权)人: | 彭正宽 |
主分类号: | B01J27/24 | 分类号: | B01J27/24;C01B3/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 116000 辽宁省大*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光催化 光生载流子 掺杂改性 产氢材料 钴化物 制法 修饰 离子 掺杂 载流子 空穴 电子传输性能 电子传导性 光催化活性 氨气氛围 表面结构 表面离子 传输过程 复合效率 光生电子 离子缺陷 能带结构 配方原料 带隙能 低价态 金属性 自氧化 产氢 减小 位点 煅烧 捕获 分解 优化 | ||
本发明涉及光催化产氢技术领域,且公开了一种Co修饰的Ni2+掺杂改性Ta3N5光催化产氢材料及其制法,包括以下配方原料:TaCl5、NiCl2、Co(OH)2。该一种Co修饰的Ni2+掺杂改性Ta3N5光催化产氢材料及其制法,Ni2+的掺杂可以增强Ta3N5的电子传导性,优化Ta3N5能带结构和表面结构,减小了Ta3N5的带隙能,掺杂产生的离子缺陷能够捕获了光生载流子,降低了载流子的复合效率,抑制了光生电子和空穴重组,表面离子缺陷可以形成更多的光催化活性位点,在氨气氛围的煅烧过程中,产生类金属性的氮钴化物,增强了Ta3N5的电子传输性能,促进了光生载流子的分离与传输过程,同时低价态的氮钴化物可以抑制Ta3N5的自氧化过程,抑制了N3‑离子氧化成N2‑离子,避免了Ta3N5的分解。
技术领域
本发明光催化产氢技术领域,具体为一种Co修饰的Ni2+掺杂改性Ta3N5光催化产氢材料及其制法。
背景技术
随着世界各国对能源需求的不断增长和环境污染问题的日趋严重,清洁能源的广泛应用已经成为必然趋势,可再生能源是一种原材料可以再生的能源,如水力发电、风力发电、太阳能、生物质能、地热能等能源;清洁能源是一种环境友好型能源,如氢能、风能等,具有排放少、污染程度小和环保性等优点;其中氢能是一种资源丰富、可持续发展、最环保的能源,具有燃烧热值高的、燃烧性能好、燃烧产物是水等优点,是一种最具发展潜力的清洁能源,目前对于氢能的应用主要是氢能发电和氢燃料电池技术等领域,在氢动力汽车、磷酸盐型燃料电池、融熔碳酸盐型燃料等方面。
目前对于氢气的制备主要有煤原料制氢、天然气制氢、重油部分氧化制氢、水解制氢等方法;水解制氢气包括电催化制氢和光催化制氢,其中光催化制氢主要是向光反应体系中加入催化剂,催化剂在光照作用下产生还原性的光生电子和氧化性的空穴,将水氧化还原成氧气和氢气,从而达到制取和收集氢气的目的,目前的光解水催剂主要有碱土金属钽酸盐类材料、铌酸盐类材料、钛酸盐材料、多元硫化物材料等。
钽氮化物和钽氮化物具有良好的光化学性能,在光照作用下,容易产生光生电子和空穴,使其具有相对良好的氧化还原性能,是一种潜在的光催化材料,但是未改性的钽氮化物如Ta3N5在光照下产生的空穴会将自身中的N3-离子氧化成N2-离子,使Ta3N5基体发生分解,破坏了材料的结构稳定性,并且Ta3N5在产生的光生电子和空穴很容易复合,减少了光生电子-空穴的生成,降低了光催化材料的水解效率和产氢性能。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种Co修饰的Ni2+掺杂改性Ta3N5光催化产氢材料及其制法,解决了现有的未改性钽氮化物Ta3N5在光照下产生的空穴会将自身中的N3-离子氧化成N2-离子,使Ta3N5基体发生分解,破坏材料的结构稳定性的问题,同时解决了Ta3N5在产生的光生电子和空穴很容易复合,减少了光生电子-空穴的生成的问题。
(二)技术方案
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于彭正宽,未经彭正宽许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910997835.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:Fe掺杂Co
- 下一篇:一种碳管担载超小VN产氢电催化剂、合成方法及应用