[发明专利]一种晶圆加工机的二次整平设备

说明书

本发明公开了一种晶圆加工机的二次整平设备，其结构包括机体、控制面板、升降气缸、整平机构，控制面板安装于机体正面，升降气缸竖直安装于机体上端并且采用机械连接，整平机构水平安装于机体上端并且后端与升降气缸采用机械连接；整平机构包括底架、旋转结构、晶圆放置结构、压平板、活动架、导杆，底架套设于旋转结构外侧上端，晶圆放置结构设有4个并且均匀分布于旋转结构上端，本发明在旋转结构与压平板之间设置了晶圆放置结构，使其在下压整平前对晶圆表面及放置槽内侧的碎粒等杂质进行清理，防止在压下时碎粒接触，造成晶圆表面的凹陷，提高了晶圆的平整度，从而提高了整体的质量。

技术领域

本发明属于晶圆加工领域，具体涉及到一种晶圆加工机的二次整平设备。

背景技术

晶圆是一种硅晶片，主要运用于硅半导体集成电路的制作，而在对晶圆用于集成电路制作时需要对晶圆进行加工，晶圆的加工主要分为镭射切割、晶圆整平、清洗、氧化沉积等加工而后再进行电路、芯片的制作，在晶圆的加工中，切割下来的晶圆断面的平整度取决于原本晶圆的平整度，故而在切割前需要对晶圆先进行一次整平，待切割完再进行以此整平，从而需要用到晶圆加工机的二次整平设备，但是现有技术存在以下不足：

由于晶圆完成切割后，需要再次进行对断面进行整平，而切割中会产生少量的碎粒停留在晶圆表面上，在进行下压整平时容易与碎粒接触而压下，造成晶圆表面的凹陷，从而影响晶圆整体的平整度，使废品率提高。

以此本申请提出一种晶圆加工机的二次整平设备，对上述缺陷进行改进。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明目的是提供一种晶圆加工机的二次整平设备，以解决现有技术由于晶圆完成切割后，需要再次进行对断面进行整平，而切割中会产生少量的碎粒停留在晶圆表面上，在进行下压整平时容易与碎粒接触而压下，造成晶圆表面的凹陷，从而影响晶圆整体的平整度，使废品率提高的问题。

为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种晶圆加工机的二次整平设备，其结构包括机体、控制面板、升降气缸、整平机构，所述控制面板安装于机体正面，所述升降气缸竖直安装于机体上端并且采用机械连接，所述整平机构水平安装于机体上端并且后端与升降气缸采用机械连接；所述整平机构包括底架、旋转结构、晶圆放置结构、压平板、活动架、导杆，所述底架套设于旋转结构外侧上端，所述晶圆放置结构设有4个并且均匀分布于旋转结构上端，所述压平板竖直安装于活动架下端并且与晶圆放置结构一一对应，所述活动架水平设于底架上方，所述导杆垂直安装于底架上端并且贯穿于活动架，所述活动架安装于升降气缸前端并且采用机械连接。

对本发明进一步地改进，所述旋转结构包括触发旋转机构、转盘、安装轴，所述转盘水平安装于触发旋转机构上端并且位于同一轴线上，所述安装轴下端嵌入安装于触发旋转机构内侧并且上端卡接于转盘中心。

对本发明进一步地改进，所述触发旋转机构包括固定座、活动结构、活动棘齿轮、弹簧、固定棘齿轮、滑套，所述活动结构设于固定座内侧，所述安装轴垂直安装于活动结构上端，所述活动棘齿轮机械连接于活动结构下端，所述弹簧套设于活动棘齿轮与固定棘齿轮外侧并且上端抵在活动结构，所述固定棘齿轮固定安装于固定座内侧底部，所述滑套嵌入安装于固定座内侧，所述活动结构外侧抵在滑套内侧。

对本发明进一步地改进，所述活动结构包括连接板、弹簧套板、滚珠、滚珠架，所述弹簧套板焊接于连接板外侧，所述弹簧套板外侧安装有滚珠架，所述滚珠嵌入安装于滚珠架内侧并且采用活动连接。

对本发明进一步地改进，所述晶圆放置结构包括嵌入块、集屑槽、集屑口、放置盘、吹气结构、气管，所述集屑槽设于嵌入块内侧并且为一体化结构，所述集屑口设于放置盘内部左侧并且与集屑槽相连通，所述吹气结构嵌入安装于放置盘内侧，所述气管贯穿于嵌入块与吹气结构相连接。