[发明专利]一种解决PVD成膜首枚效应的方法在审
| 申请号： | 201911000321.0 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110724927A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 刘庆华;施向东;刘善善 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C14/34;H01L21/02 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 成膜 晶片 送入 溅射成膜 工艺腔 成膜工艺 工艺成本 生产效率 易挥发物 工艺流程 冷却腔 吸附水 硅片 除水 溅射 刻蚀 去除 加热 搬运 冷却 | ||
【权利要求书】：
1.一种解决PVD成膜首枚效应的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供一待成膜的晶片，将该晶片送入除水工艺腔进行加热以去除吸附水及易挥发物处理；
步骤二、将晶片送入搬运腔等待；
步骤三、等待结束后，将晶片送入溅射工艺腔进行物理溅射成膜；
步骤四、将所述成膜后的晶片将会送入冷却腔进行冷却，成膜工艺结束。
2.根据权利要求1所述的解决PVD成膜首枚效应的方法，其特征在于：步骤一中的除水工艺腔中的温度为250℃。
3.根据权利要求1所述的解决PVD成膜首枚效应的方法，其特征在于：步骤二中晶片在搬运腔中的等待时间为5-40s。
4.根据权利要求1所述的解决PVD成膜首枚效应的方法，其特征在于：步骤二中晶片在搬运腔中的等待时间为20s。
5.根据权利要求1所述的解决PVD成膜首枚效应的方法，其特征在于：步骤二中搬运腔中的温度为0-50℃。
6.根据权利要求1所述的解决PVD成膜首枚效应的方法，其特征在于：步骤二中搬运腔中的温度为20℃。
7.根据权利要求1所述的解决PVD成膜首枚效应的方法，其特征在于：步骤二中搬运腔中的压力大于2.2托。
8.根据权利要求1所述的解决PVD成膜首枚效应的方法，其特征在于：步骤二中搬运腔中的压力为2.5托。
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