[发明专利]一种解决PVD成膜首枚效应的方法在审

申请号：	201911000321.0	申请日：	2019-10-21
公开（公告）号：	CN110724927A	公开（公告）日：	2020-01-24
发明（设计）人：	刘庆华;施向东;刘善善	申请（专利权）人：	上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号：	C23C14/56	分类号：	C23C14/56;C23C14/34;H01L21/02
代理公司：	31211 上海浦一知识产权代理有限公司	代理人：	戴广志
地址：	201203 上海市浦东***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	成膜晶片送入溅射成膜工艺腔成膜工艺工艺成本生产效率易挥发物工艺流程冷却腔吸附水硅片除水溅射刻蚀去除加热搬运冷却
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【说明书】：

本发明提供一种解决PVD成膜首枚效应的方法，包括：提供一待成膜的晶片，将该晶片送入除水工艺腔进行加热以去除吸附水及易挥发物处理；将晶片送入搬运腔等待；等待结束后，将晶片送入溅射工艺腔进行物理溅射成膜；将成膜后的晶片将会送入冷却腔进行冷却，成膜工艺结束。本发明所提供的解决PVD成膜首枚效应的方法，溅射成膜的质量可有效避免首枚硅片成膜后造成的Al刻蚀不良，并且不影响真个工艺流程的总时间，提高生产效率，降低了工艺成本。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种解决PVD成膜首枚效应的方法。

背景技术

物理溅射成膜工艺过程中，尤其是在半导体领域，溅射工艺直接影响半导体器件的电阻以及其他物理特性。现有物理溅射成膜工艺主要是成膜晶片先除去表面的物理吸附水以及其他容易挥发的吸附物，然后经搬送腔直接进入到成膜工艺腔内进行溅射。当成膜晶片直接从去除水分以及其他容易挥发的吸附物的工艺腔经搬送腔直接进入到成膜工艺腔内溅射成膜，容易造成成膜晶体异常，导致后续光刻胶涂抹质量偏差，造成光刻胶后续倒掉，影响刻蚀，造成刻蚀不良。

如图1a至图1b所示，图1a至图1b显示为现有技术中首枚晶圆PVD成膜的SEM图；再如图2a至图2b所示，图2a至图2b显示为现有技术中首枚晶圆PVD成膜的WAT测试图；从以上图中可以看出，WAT(晶片允收测试)原因为AL线短路，而且作业产品均为首枚出现的该现象。

因此，需要提出一种新的方法来解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种解决PVD成膜首枚效应的方法，用于解决现有技术中成膜晶片直接进入到成膜工艺腔内溅射成膜，造成成膜晶体异常，导致后续光刻胶涂抹质量偏差，造成光刻胶后续倒掉，影响刻蚀，造成刻蚀不良的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种解决PVD成膜首枚效应的方法，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供一待成膜的晶片，将该晶片送入除水工艺腔进行加热以去除吸附水及易挥发物处理；步骤二、将晶片送入搬运腔等待；步骤三、等待结束后，将晶片送入溅射工艺腔进行物理溅射成膜；步骤四、将所述成膜后的晶片将会送入冷却腔进行冷却，成膜工艺结束。

优选地，步骤一中的除水工艺腔中的温度为250℃。

优选地，步骤二中晶片在搬运腔中的等待时间为5-40s。

优选地，步骤二中晶片在搬运腔中的等待时间为20s。

优选地，步骤二中搬运腔中的温度为0-50℃。

优选地，步骤二中搬运腔中的温度为20℃。

优选地，步骤二中搬运腔中的压力大于2.2托。

优选地，步骤二中搬运腔中的压力为2.5托。

如上所述，本发明的解决PVD成膜首枚效应的方法，具有以下有益效果：本发明所提供的解决PVD成膜首枚效应的方法，溅射成膜的质量可有效避免首枚硅片成膜后造成的Al刻蚀不良，并且不影响真个工艺流程的总时间，提高生产效率，降低了工艺成本。

附图说明

图1a至图1b显示为现有技术中首枚晶圆PVD成膜的SEM图；

图2a至图2b显示为现有技术中首枚晶圆PVD成膜的WAT测试图；

图3显示为本发明的解决PVD成膜首枚效应的方法流程图；