[发明专利]LED芯片的转移方法、基板及系统

权利要求书

1.一种LED芯片的转移方法，其特征在于，包括：

将LED芯片转移基板置于盛放有缓冲液的溶液槽内，所述缓冲液浸没所述LED芯片转移基板，所述LED芯片转移基板包括基板本体与基板本体定义的凹槽，所述凹槽包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，所述第一凹槽为第一形状，所述第二凹槽为第二形状，所述第三凹槽为第三形状；

将第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片浸入所述缓冲液中，所述第一LED芯片包括第一形状基部，所述第二LED芯片包括第二形状基部，所述第三LED芯片包括第三形状基部；

驱动所述缓冲液流动，以将所述第一形状基部对位至所述第一凹槽内，所述第二形状基部对位至所述第二凹槽内，所述第二形状基部对位至所述第三凹槽内，所述第一凹槽和所述第一LED芯片之间、所述第二凹槽和所述第二LED芯片之间，和/或所述第三凹槽和所述第三LED芯片之间通过磁性力相互吸附。

2.根据权利要求1所述的LED芯片的转移方法，其特征在于，驱动所述缓冲液流动，以将所述第一形状基部对位至所述第一凹槽内，所述第二形状基部对位至所述第二凹槽内，所述第二形状基部对位至所述第三凹槽内之后，还包括：

将所述LED芯片转移基板上的所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片固定在目标基板上。

3.根据权利要求2所述的LED芯片的转移方法，其特征在于，将所述LED芯片转移基板上的所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片固定在目标基板上，还包括：

将所述LED芯片转移基板与所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片分离。

4.根据权利要求1所述的LED芯片的转移方法，其特征在于，所述第一形状基部的第一表面包括第一磁极，所述第二形状基部的第二表面包括第二磁极，所述第三形状基部的第三表面包括第三磁极，所述第一磁极、第二磁极和第三磁极均同时为N磁极或S磁极。

5.根据权利要求4所述的LED芯片的转移方法，其特征在于，所述第一凹槽还包括第一线圈、所述第二凹槽还包括第二线圈，所述第三凹槽还包括第三线圈，所述驱动所述缓冲液流动之时还包括：

控制所述第一线圈的第一端生成第四磁极，所述第四磁极与所述第一磁极之间为磁性吸引力；

控制所述第二线圈的第二端生成第五磁极，所述第五磁极和所述第二磁极之间为磁性吸引力；

控制所述第三线圈的第三端生成第六磁极，所述第六磁极和所述第三磁极之间为磁性吸引力。

6.根据权利要求3和5所述的LED芯片的转移方法，其特征在于，所述将所述LED芯片转移基板与所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片分离包括：

断开所述第一线圈、所述第二线圈和所述第三线圈的电源，以将所述LED芯片转移基板与所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片分离。

7.根据权利要求4所述的LED芯片的转移方法，其特征在于，所述第一凹槽还包括第七磁极、所述第二凹槽还包括第八磁极，所述第三凹槽还包括第九磁极，所述第七磁极与所述第一磁极之间为磁性吸引力，所述第八磁极与所述第二磁极之间为磁性吸引力，所述第九磁极与所述第三磁极之间为磁性吸引力。

8.根据权利要求3和7所述的LED芯片的转移方法，其特征在于，所述将所述LED芯片转移基板与所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片分离包括：

将所述LED芯片转移基板放置于基板溶解液中进行溶解，以将所述LED芯片转移基板与所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片分离。

9.一种LED芯片的转移基板，其特征在于，包括：基板本体与基板本体定义的凹槽，所述凹槽包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，所述第一凹槽为第一形状，所述第二凹槽为第二形状，所述第三凹槽为第三形状，所述第一凹槽用于与第一芯片的第一形状基部对位，所述第二凹槽用于与第二芯片的第二形状基部对位，所述第三凹槽用于与第三芯片的第三形状基部对位。

10.一种LED芯片的转移系统，其特征在于，包括：

溶液槽，用于盛放缓冲液；

LED芯片转移基板，为权利要求9所述的LED芯片转移基板，浸没在所述缓冲液中。