[发明专利]LED芯片的转移方法、基板及系统

说明书

本发明公开了一种LED芯片的转移方法、基板及系统，LED芯片的转移方法包括：LED芯片转移基板置于盛放有缓冲液的溶液槽内，LED芯片转移基板包括基板本体与基板本体定义的凹槽；将第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片浸入缓冲液中，第一LED芯片包括第一形状基部，第二LED芯片包括第二形状基部，第三LED芯片包括第三形状基部；驱动缓冲液流动，以将第一形状基部对位至第一凹槽内，第二形状基部对位至第二凹槽内，第二形状基部对位至第三凹槽内，第一凹槽和第一LED芯片之间、第二凹槽和第二LED芯片之间，和/或第三凹槽和第三LED芯片之间通过磁性力相互吸附。达到了进行LED芯片巨量转移时，有效区分红光、绿光和蓝光LED芯片，提高了转移时的效率和准确率。

技术领域

本发明实施例涉及LED芯片转移技术，尤其涉及一种LED芯片的转移方法、基板及系统。

背景技术

在Micro-LED显示器件制作过程中，由于Micro-LED芯片尺寸小，制作显示器件往往需要大量的LED芯片。对于一个4K电视而言，单个屏幕所需Micro-LED芯片829.4万个，需要转移的红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片一共多达2488.2万个，而每一个Micro-LED像素直径又仅为30μm，目前设备加工速度约为25000个单位/小时，加工一个4K屏幕就需要1个多月。因此巨量转移技术成为Micro-LED显示发展生产技术的难点，尤其是对红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片同时进行巨量转移时还需要将红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片进行准确区分。

发明内容

本发明提供一种LED芯片的转移方法、基板及系统，以实现在进行红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片同时进行巨量转移过程，对红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片进行有效区分和准确转移。

第一方面，本发明实施例提供了一种LED芯片的转移方法，包括：

将LED芯片转移基板置于盛放有缓冲液的溶液槽内，所述缓冲液浸没所述LED芯片转移基板，所述LED芯片转移基板包括基板本体与基板本体定义的凹槽，所述凹槽包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，所述第一凹槽为第一形状，所述第二凹槽为第二形状，所述第三凹槽为第三形状；

将第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片浸入所述缓冲液中，所述第一LED芯片包括第一形状基部，所述第二LED芯片包括第二形状基部，所述第三LED芯片包括第三形状基部；

驱动所述缓冲液流动，以将所述第一形状基部对位至所述第一凹槽内，所述第二形状基部对位至所述第二凹槽内，所述第二形状基部对位至所述第三凹槽内，所述第一凹槽和所述第一LED芯片之间、所述第二凹槽和所述第二LED芯片之间，和/或所述第三凹槽和所述第三LED芯片之间通过磁性力相互吸附。

可选的，驱动所述缓冲液流动，以将所述第一形状基部对位至所述第一凹槽内，所述第二形状基部对位至所述第二凹槽内，所述第二形状基部对位至所述第三凹槽内之后，还包括：

将所述LED芯片转移基板上的所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片固定在目标基板上。

可选的，将所述LED芯片转移基板上的所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片固定在目标基板上，还包括：

将所述LED芯片转移基板与所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片分离。

可选的，所述第一形状基部的第一表面包括第一磁极，所述第二形状基部的第二表面包括第二磁极，所述第三形状基部的第三表面包括第三磁极，所述第一磁极、第二磁极和第三磁极均同时为N磁极或S磁极。

可选的，所述第一凹槽还包括第一线圈、所述第二凹槽还包括第二线圈，所述第三凹槽还包括第三线圈，所述驱动所述缓冲液流动之时还包括：